关于使用Sentaurus TCAD进行总剂量仿真

（1）总剂量仿真是需要添加陷阱模型，可是SiO2无法添加，是需要将它的材料变成Si，然后再把对应区域的参数改成SiO2吗?
（2）如果使用上述的模型进行单粒子仿真，那么因为材料变成了Si，所有漏电流肯定比以前的大，这个该如何解决呢?

这个仿真有意义吗?我也想做这方面的工作，想请教一下。

不清楚，只知道软件本身无法识别SiO2的陷阱模型，只能这么做，但是感觉和实际肯定有差距的