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半导体器件开发简要流程(BJT、FRD、MOSFET、IGBT、Thyristor etc.)

时间:03-15 整理:3721RD 点击:
整理了半导体器件简要开发流程,欢迎经验丰富的坛友提供更多修正建议,以便后续进一步完善和细化!
半导体器件开发简要流程(BJT、FRD、MOSFET、IGBT、Thyristor etc.)
1.项目可行性评估
项目是否能够取得成功,前期的评估起到决定性作用,项目需要重点评估的方面包括:
▲产品的国内外市场需求及市场前景、产品的生命周期评估:市场需求决定了产品生产规模及利润水平;产品生命周期确定了产品今后还能持续发展的前景;
▲开发者所具备的优势:产业政策、资金技术、配套及人才等优势;
▲把握核心竞争力:资金、技术、人才(半导体产业为资金、技术、人才密集型产业)。
2.项目方案及技术评估
项目生产开发所采取的模式、项目运作过程及计划制定、实施:
▲确定器件设计及工艺生产实施方案:技术引进还是自主开发、自己生产还是外协代工等;
▲详细评估器件设计及工艺关键技术及难点:确保器件开发及工艺生产均能按计划成功实施;
▲确保器件设计及工艺实施后产品的成本优势:产品性能、价格必须具备竞争力。
3.器件及工艺流程设计
方案确定后器件及工艺工程师便可以联合开展设计相关工作:
▲现有目标工艺流程及特定器件最佳流程的匹配:现状和目标总是有差距的;
▲器件设计参数调整:设计仿真优化器件参数,静态、动态所有参数间折中应对不同应用;
▲工艺流程优化:工艺流程最优化与工艺设备、加工时间、加工费用等优化。
器件虚拟制造:(MOSFET、IGBT工艺流程及器件结构设计)

4.器件版图设计
根据器件及工艺设计的结果,可以开始进行版图设计:
▲版图布局及布线,功率器件和IC版图类似,也涉及布局布线:例如栅极BUS的布局;
▲版图的绘制及设计规则检查:根据工艺及器件本身要求,需要满足设计规则(DRC);
▲根据不同的工艺线及光刻匹配要求完成版图提交及检查(Emaskview)、完成掩模版制作。
器件版图设计:(FRD、MOSFET、IGBT版图设计)

5.工艺流片及芯片测试
工艺生产线根据工艺条件加工芯片,并给出测试结果:
▲工艺线根据需要可能先开发单步工艺,无问题后进行工程流片;
▲工艺过程监测及WAT测试,完成后进行芯片(CP)测试及分析;
▲根据不同的失效原因进行失效分析及设计下一步工艺分组实验(DOE)。
工艺及失效分析(部分分析手段):

6.封装、终测及可靠性测试
芯片测试合格后,需要封装后进一步测试评估:
▲制定封装规范:根据应用需要制定封装形式及打线要求等;
▲封装后进行成品测试:进行静态参数、动态测试测试和可靠性测试;
▲如果出现成品失效,根据不同的失效原因进行失效分析;根据结果反馈到上面的设计流程。
成品测试及失效分析(部分测试及分析手段):

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xiexiele

那个器件虚拟制造用的什么软件?



ISE很像



LZ,一般来说,在样品成功以后还需要样品应用测试这一环节,也是衔接市场评估和应用背景这一项,只有这项OK之后,这个项目才算完成啊。后续就等订单了。

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