MOSFET的GIDL和BIDL效用

对于MOS器件尺寸减小，会带来短沟道效应。其中就有GIDL （gate induced drAIn leakage）和 DIBL（drain induced barrier lowering）。不知道在器件分析的时候，I-V曲线（Id-Vd和Id-Vg）出现哪种情况对应GIDL，哪种对应DIBL呢?不知道谁能帮助解答。
要是有图解就更好了，谢谢。

DIBL 是看线性区和饱和区的阈值电压之差. 在栅漏电压比较大的时候GIDL比较明显

……本来是看别人回复的……

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