Silvaco仿真遇见问题求助
时间：03-15
整理：3721RD
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仿的一篇论文中的例子，代码如下go atlas
mesh space.mult=1.0
x.mesh loc=0.00 spac=1
x.mesh loc=3.00 spac=1
x.mesh loc=5.50 spac=0.5
x.mesh loc=7.00 spac=0.5
x.mesh loc=10.00 spac=0.4
x.mesh loc=11.5spac=0.2
x.mesh loc=13.00 spac=0.2
x.mesh loc=15.00 spac=0.2
x.mesh loc=17.00 spac=0.2
x.mesh loc=19.00 spac=0.2
x.mesh loc=21.00 spac=0.2
x.mesh loc=23.00 spac=0.2
x.mesh loc=25.00 spac=0.2
x.mesh loc=27.00 spac=0.2
x.mesh loc=28.50 spac=0.2
x.mesh loc=30.00 spac=0.4
x.mesh loc=33.00 spac=0.5
x.mesh loc=34.50 spac=0.5
x.mesh loc=37.00 spac=1
x.mesh loc=40.00 spac=
y.mesh loc=0.0spac=1
y.mesh loc=0.5spac=0.4
y.mesh loc=1.0spac=0.1
y.mesh loc=1.1spac=0.1
y.mesh loc=1.5spac=0.1
y.mesh loc=1.8spac=0.1
y.mesh loc=3.0spac=0.1
y.mesh loc=4.0spac=0.2
y.mesh loc=5.0spac=0.2
y.mesh loc=6.0spac=0.2
y.mesh loc=7.0spac=0.2
y.mesh loc=8.0spac=0.1
y.mesh loc=9.0spac=0.6
y.mesh loc=10.0spac=1
y.mesh loc=11.0spac=1
#定义硅和二氧化硅的两个区域
region number=1 silicony.min=1.0 y.max=11.0 x.min=0 x.max=40.0
region number=2 sio2y.min=0.0 y.max=1.0 x.min=0 x.max=40.0
electrode name=anode x.min=5.0 x.max=6.0 y.min=0 y.max=1
electrode name=anode x.min=19.5 x.max=20.5 y.min=0 y.max=1
electrode name=anode x.min=34x.max=35y.min=0y.max=1
electrode name=cathode x.min=10 x.max=11 y.min=0 y.max=1
electrode name=cathode x.min=29 x.max=30 y.min=0 y.max=1
#对硅的区域进行掺杂
doping p.type conc=1e15 uniform region=1
doping n.type conc=1e17 x.min=10 x.max=30 junc=8.0 rat=0.5 gauss region=1
#对二氧化硅的区域进行掺杂，分别是不同区域的 p 型和 n 型掺杂
dopingp.typeconc=1e19x.min=5x.max=6peak=1.0characteristic=0.2rat=0.6gauss region=1
dopingp.typeconc=1e18x.min=13x.max=15peak=1.0characteristic=1.0rat=0.8 gauss region=1
dopingp.typeconc=1e19x.min=15x.max=25peak=1.0characteristic=0.2rat=0.5 gauss region=1
dopingp.typeconc=1e18x.min=25x.max=27peak=1.0characteristic=1.0rat=0.8 gauss region=1
dopingp.typeconc=1e19x.min=34x.max=35peak=1.0characteristic=0.2rat=0.6 gauss region=1
dopingn.typeconc=1e19x.min=10x.max=11peak=1.0characteristic=0.2rat=0.6 gauss region=1
dopingn.typeconc=1e19x.min=29x.max=30peak=1.0characteristic=0.2rat=0.6 gauss region=1
save outf=SPAD.str
models bipolar bbt.std print #选用器件模拟的物理模型
impact selb #定义粒子碰撞的模型，注意：碰撞电离模型只能被设置在 impact 语句里面，而其他模型则都设置在 model 语句里
methodnewton trap maxtrap=50 climit=1e-4#用数学运算法则使解方程和参数联系起来
carriers=0#初始无载流子状态
solve init#解方程的初始定义
method carriers=2#加入空穴和电子两种载流子
log outf=spad.log
solve name=anode vanode=-0.5 vstep=-0.25 vfinal=-30 #在阳极加初始、截止和相邻两点之间电压差值
save outf=SPAD.str
tonyplot spad.log
quit
用论文中的网格间隔仿真时报错，显示 Too many nodes generated，我看网上说是电脑内存不够仿这么密的网格，于是我把间隔加大了一倍，然后仿到solve name=anode vanode=-0.5 vstep=-0.25 vfinal=-30 这一行时报错** ERROR #3 **
* Invalid parameter specification * 请问是什么问题?还有网格过密无法仿真真的是内存问题么，我的笔记本内存大小为8G。谢谢了
mesh space.mult=1.0
x.mesh loc=0.00 spac=1
x.mesh loc=3.00 spac=1
x.mesh loc=5.50 spac=0.5
x.mesh loc=7.00 spac=0.5
x.mesh loc=10.00 spac=0.4
x.mesh loc=11.5spac=0.2
x.mesh loc=13.00 spac=0.2
x.mesh loc=15.00 spac=0.2
x.mesh loc=17.00 spac=0.2
x.mesh loc=19.00 spac=0.2
x.mesh loc=21.00 spac=0.2
x.mesh loc=23.00 spac=0.2
x.mesh loc=25.00 spac=0.2
x.mesh loc=27.00 spac=0.2
x.mesh loc=28.50 spac=0.2
x.mesh loc=30.00 spac=0.4
x.mesh loc=33.00 spac=0.5
x.mesh loc=34.50 spac=0.5
x.mesh loc=37.00 spac=1
x.mesh loc=40.00 spac=
y.mesh loc=0.0spac=1
y.mesh loc=0.5spac=0.4
y.mesh loc=1.0spac=0.1
y.mesh loc=1.1spac=0.1
y.mesh loc=1.5spac=0.1
y.mesh loc=1.8spac=0.1
y.mesh loc=3.0spac=0.1
y.mesh loc=4.0spac=0.2
y.mesh loc=5.0spac=0.2
y.mesh loc=6.0spac=0.2
y.mesh loc=7.0spac=0.2
y.mesh loc=8.0spac=0.1
y.mesh loc=9.0spac=0.6
y.mesh loc=10.0spac=1
y.mesh loc=11.0spac=1
#定义硅和二氧化硅的两个区域
region number=1 silicony.min=1.0 y.max=11.0 x.min=0 x.max=40.0
region number=2 sio2y.min=0.0 y.max=1.0 x.min=0 x.max=40.0
electrode name=anode x.min=5.0 x.max=6.0 y.min=0 y.max=1
electrode name=anode x.min=19.5 x.max=20.5 y.min=0 y.max=1
electrode name=anode x.min=34x.max=35y.min=0y.max=1
electrode name=cathode x.min=10 x.max=11 y.min=0 y.max=1
electrode name=cathode x.min=29 x.max=30 y.min=0 y.max=1
#对硅的区域进行掺杂
doping p.type conc=1e15 uniform region=1
doping n.type conc=1e17 x.min=10 x.max=30 junc=8.0 rat=0.5 gauss region=1
#对二氧化硅的区域进行掺杂，分别是不同区域的 p 型和 n 型掺杂
dopingp.typeconc=1e19x.min=5x.max=6peak=1.0characteristic=0.2rat=0.6gauss region=1
dopingp.typeconc=1e18x.min=13x.max=15peak=1.0characteristic=1.0rat=0.8 gauss region=1
dopingp.typeconc=1e19x.min=15x.max=25peak=1.0characteristic=0.2rat=0.5 gauss region=1
dopingp.typeconc=1e18x.min=25x.max=27peak=1.0characteristic=1.0rat=0.8 gauss region=1
dopingp.typeconc=1e19x.min=34x.max=35peak=1.0characteristic=0.2rat=0.6 gauss region=1
dopingn.typeconc=1e19x.min=10x.max=11peak=1.0characteristic=0.2rat=0.6 gauss region=1
dopingn.typeconc=1e19x.min=29x.max=30peak=1.0characteristic=0.2rat=0.6 gauss region=1
save outf=SPAD.str
models bipolar bbt.std print #选用器件模拟的物理模型
impact selb #定义粒子碰撞的模型，注意：碰撞电离模型只能被设置在 impact 语句里面，而其他模型则都设置在 model 语句里
methodnewton trap maxtrap=50 climit=1e-4#用数学运算法则使解方程和参数联系起来
carriers=0#初始无载流子状态
solve init#解方程的初始定义
method carriers=2#加入空穴和电子两种载流子
log outf=spad.log
solve name=anode vanode=-0.5 vstep=-0.25 vfinal=-30 #在阳极加初始、截止和相邻两点之间电压差值
save outf=SPAD.str
tonyplot spad.log
quit
用论文中的网格间隔仿真时报错，显示 Too many nodes generated，我看网上说是电脑内存不够仿这么密的网格，于是我把间隔加大了一倍，然后仿到solve name=anode vanode=-0.5 vstep=-0.25 vfinal=-30 这一行时报错** ERROR #3 **
* Invalid parameter specification * 请问是什么问题?还有网格过密无法仿真真的是内存问题么，我的笔记本内存大小为8G。谢谢了
更正一下 nvalid parameter specification错误是从模型定义models bipolar bbt.std print开始的 后面的每一条语句都是这个错误
你好，请问你这个问题怎么解决的，能帮忙吗