关于ISE TCAD接触设置的问题（求解）

我是新手，在ISE TCAD使用中，我画了一个简单pmos，源漏重掺杂B，源漏接触加0V时，在TECPLOT中看到源漏重掺杂区电势是-0.52V，N阱接触也是通过重掺杂，接触加0V时，N阱重掺杂区电势是0.51V。
重掺杂不是欧姆接触吗，欧姆接触就是在金属半导体表面的接触点不产生明显的电压降低，而dessis文件中，contact的default是欧姆接触。
请教一下，我在上面接触处产生的接触电势差是正确的呢，还是我设置问题，需要加barrier=XX来弥补吗?

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