sentaurus TCAD GaN 击穿仿真问题

大家好，最近我在做AlGaN／GaN HEMT击穿特性的仿真，可是我调节了很长时间的相关参数，就是仿真不出来。器件的直流特性没有问题，但是一旦开启Avalanche模型，仿真就会出错。我做的其中一个器件在漏极和栅极电压都为零的情况下可以看到期间在漏极和源极边缘的电场很大，导致在这一部分出现了雪崩击穿，然而实际器件不可能是这样的，所以我想请教一下，如何设置仿真条件，如果有GaN HEMT击穿的例子更加好了。我在谷歌上找了很长时间，有一些关于GaN HEMT击穿仿真的例子，但都不是很详细，所以特来请教。

请问您的问题解决了吗?