可控硅是什么？是IGBT吗？
可控硅和一般桥式整流器有什么区别?
晶闸管又叫可控硅。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
这里有可控硅的所有基础知识：
http://www.elecfans.com/yuanqijian/kekonggui/
谢谢不是吧{:5:这是什么问题啊，是三种元件啊，可控硅可以用做整流，可控硅和IGBT是不是性能的，也有共性……
可控硅和IGBT是不是性能的? 这句话是什么意思?
1，IGBT的功能是什么?
2，可控硅和普通整流桥都是整流用的，那他们的区别呢?
简单基本介绍，可控硅和IGBT是不同的电子元件。可控硅是bipolar 工艺，电流驱动。IGBT是可以简单理解为MOSFET+bipolar. 电压驱动，同时具有mosfet的频率特性，bipolar的功率特性。可控硅是历史很长，主要用在工频电源处，如马达控制（洗衣机）。IGBT是最近20年有很大进展，主要用在变频，逆变器。
可控硅和IGBT性能不同的，
IGBT:绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
可控硅：可控硅又叫晶闸管，是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗称可控硅，它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。 可控硅具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
整流桥就是将整流管封在一个壳内了.分全桥和半桥.全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起.半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路,
1、GTR——电力晶体管（功率晶体管）
特点：（1）电流控制型器件，基极电流控制开通与关断
（2）大功率，高反压
（3）具有自关断能力
（4）饱和压降低，开关时间短，安全工作区宽
2、电力MOS场效应晶体管
特点：（1）电压关断型器件，GS间电压控制开通与关断
（2）开关速度快，高频特性好
（3）热稳定性好
（4）导通时电压降稍大，电流、电压容量却不大
3、GTR与电力MOS场效应管复合——IGBT（绝缘栅双极型场效应晶体管）
特点：（1）控制时有MOS场效应管的优点，导通时具有双极型晶体管的特点
（2）输入阻抗高
（3）开关速度快
（4）电流密度高
（5）驱动功率小而饱和压降低
可控硅 是PNPN四层架构，IGBT 可理解成闸极对地短路的可控硅，
你可以想像为 把栅极加在闸极对面，当栅极正偏时，沟道出现，两个P层连通，原须从闸极灌输的触发能量可从电源注入。
上文有笔误，被沟道连通的是 N层 才对。
请留意最后的那一步，你如果把 GK 短接，这东东理论上就成不了可控硅，
但是，且慢高兴，假若红子(空穴)量忒多且来势过猛，G区电位可被灌至高于原触发电平，那就关不掉喽！
可控硅也是三端子元件（注意，是元件，不是模块），跟BJT同属双极类别，所以它的身份定位应该是 “四层双极晶体管”(你可以称它为「两头蛇BJT」)，这正好跟 “四层二极管”(肖克利二极管)相对应。
哇，这么多高手
上面都是高手啊，我这菜鸟也来凑热闹了呵呵
上面都是高手啊，我这菜鸟也来凑热闹
可控硅和IGBT的导通压降都是多少啊
看看，好好学习
我这菜鸟也来凑热闹
高手很多 我来学习