sentaurus sprocess pHEMT 工艺仿真

有人用sprocess仿过 pHEMT 么?感觉跟硅工艺差别很大啊。本人接触sentaurus 没多久，再次求教。仿真过程中主要有以下几个问题：
（1）除了substrate 层，GaAs，AlGaAs 和 InGaAs等层都是deposit 上去的么?相关材料的参数怎么设置?
我尝试deposit 上去，主要遇到以下几个warning:
(a) no thermal expansion coefficient change rate for substrate material given. Assuming silicon
(b) Missing mechanical parameter for InGaAs(defaults applied instead)
（2）离子注入还是用 implant，常数掺杂怎么实现?delta 掺杂又如何实现?

谢谢分享