tcad ise 收敛性

我初学ISE，做毕业设计，好不容易画好一个器件，仿真总是不收敛，想请各位问高手，ISE仿真收敛性与什么因素有关?
我仿的是一个很简单的nmos ，SiO2厚度为2nm ，drAIn加3V电压，gate电压从0变到3V，物理模型只加了迁移率模型Mobility( DopingDep HighFieldsat Enormal )（怕不收敛才只加一个模型，结果还是不收敛...）

帮你顶一下，我做二极管击穿仿真，折腾了好久，就是不收敛！请教高手指点一下！网格该怎么划，solve里面的步长该怎么设定?

收敛性 是一个头疼的问题 我在做击穿仿真时 通常设置一些终止条件 比如说达到临界击穿电场强度 反向漏电流的大小等等 通常不收敛发生击穿点的附近！
这是我个人的看法 希望高人批评和指正！