浅谈0欧电阻的作用

很多人都问0欧姆电阻有什么作用?下面详细总结了0欧姆电阻的作用。

零欧姆电阻的十二种作用。我们经常在电路中见到0欧的电阻，对于新手来说，往往会很迷惑：既然是0欧的电阻，那就是导线，为何要装上它呢?还有这样的电阻市场上有卖吗?其实0欧的电阻还是蛮有用的。

零欧姆电阻又称为跨接电阻器，是一种特殊用途的电阻，0欧姆电阻的并非真正的阻值为零(那是超导体干的事情)，正因为有阻值，也就和常规贴片电阻一样有误差精度这个指标。

以下总结了零欧姆电阻的一系列用法：

1.在电路中没有任何功能，只是在PCB上为了调试方便或兼容设计等原因。

2.可以做跳线用，如果某段线路不用，直接不贴该电阻即可(不影响外观)

3.在匹配电路参数不确定的时候，以0欧姆代替，实际调试的时候，确定参数，再以具体数值的元件代替。

4.想测某部分电路的耗电流的时候，可以去掉0ohm电阻，接上电流表，这样方便测耗电流。

5.在布线时，如果实在布不过去了，也可以加一个0欧的电阻

6.在高频信号下，充当电感或电容。(与外部电路特性有关)电感用，主要是解决EMC问题。如地与地，电源和IC Pin间

7.单点接地(指保护接地、工作接地、直流接地在设备上相互分开，各自成为独立系统。)

8.熔丝作用

9.拟地和数字地单点接地

只要是地，最终都要接到一起，然后入大地。如果不接在一起就是"浮地"，存在压差，容易积累电荷，造成静电。地是参考0电位，所有电压都是参考地得出的，地的标准要一致，故各种地应短接在一起。人们认为大地能够吸收所有电荷，始终维持稳定，是最终的地参考点。虽然有些板子没有接大地，但发电厂是接大地的，板子上的电源最终还是会返回发电厂入地。如果把模拟地和数字地大面积直接相连，会导致互相干扰。不短接又不妥，理由如上有四种方法解决此问题：

(1)用磁珠连接;

(2)用电容连接;

(3)用电感连接;

(4)用0欧姆电阻连接。

磁珠的等效电路相当于带阻限波器，只对某个频点的噪声有显著抑制作用，使用时需要预先估计噪点频率，以便选用适当型号。对于频率不确定或无法预知的情况，磁珠不合。

电容隔直通交，造成浮地。

电感体积大，杂散参数多，不稳定。

0欧电阻相当于很窄的电流通路，能够有效地限制环路电流，使噪声得到抑制。电阻在所有频带上都有衰减作用(0欧电阻也有阻抗)，这点比磁珠强。

以下两个图是一个电路，只是由于元件的标号不一样。R7(R33)就是模拟地和数字地的单点链接端。

10.跨接时用于电流回路当分割电地平面后，造成信号最短回流路径断裂，此时，信号回路不得不绕道，形成很大的环路面积，电场和磁场的影响就变强了，容易干扰/被干扰。在分割区上跨接0欧电阻，可以提供较短的回流路径，减小干扰。

11.配置电路

一般，产品上不要出现跳线和拨码开关。有时用户会乱动设置，易引起误会，为了减少维护费用，应用0欧电阻代替跳线等焊在板子上。

空置跳线在高频时相当于天线，用贴片电阻效果好。

12.其他用途

布线时跨线;

调试/测试用;

临时取代其他贴片器件;

作为温度补偿器件;

更多时候是出于EMC对策的需要。另外，0欧姆电阻比过孔的寄生电感小，而且过孔还会影响地平面(因为要挖孔)。

还有就是不同尺寸0欧电阻允许通过电流不同，一般0603的1A，0805的2A，所以不同电流会选用不同尺寸的还有就是为磁珠、电感等预留位置时，得根据磁珠、电感的大小还做封装，所以0603、0805等不同尺寸的都有了。

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三极管的工作原理
一、概念理解
1、N型半导体：又称为电子型半导体。在纯净的电子发烧友体中通过特殊工艺掺入少
量的五价元素（如磷、砷、锑等）而形成，其内部自由电子浓度远大于空穴浓度。
所 以，N半导体内部形成带负电的多数载流子——自由电子，而少数载流子是
空穴。N型半导体主要靠自由电子导电。由于自由电子主要由所掺入的杂质提供，
所以掺 入的五价杂质越多，自由电子的浓度就越高，导电性能就越强。而空穴
由热激发形成，环境温度越高，热激发越剧烈。
2、P型半导体：又称为空穴型半导体。在纯净的电子发烧友体中掺入三价元素（如硼）
而形成，其内部空穴浓度远大于自由电子浓度，所以，P型半导体内部形成带正
电 的多数载流子——空穴，而少数载流子是自由电子。P型半导体主要靠空穴
导电。由于空穴主要由所掺入杂质原子提供，掺入三价的杂质越多，空穴的浓度
就越高， 导电性能就越强。而自由电子是由热激发形成，环境温度越高，热激
发越激烈。
3、PN结及特性：P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N
型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，
载 流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有内建一个
由N区指向P区的内电场。由于内电场是由多子建成，所以达到平衡后，内建电
场将阻挡 多数载流子的扩散，但不能阻止少数载流子。P区和N区的少数载流
子一旦接近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方。ＰＮ结的单向导电性
外加正向电压（正偏）：在外电场作用下，多子将向ＰＮ结移动，结果使空间电
荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起
主要 作用。结果，Ｐ区的多子空穴将源源不断的流向Ｎ区，而Ｎ区的多子自由
电子亦不断流向Ｐ区，这两股载流子的流动就形成了ＰＮ结的正向电流。外加反向电压（反偏）：在外电场作用下，多子将背离ＰＮ结移动，结果使空间
电荷区变宽，内电场被增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散，漂移运动
起主 要作用。漂移运动产生的漂移电流的方向与正向电流相反，称为反向电流。
因少子浓度很低，反向电流远小于正向电流。当温度一定时，少子浓度一定，反
向电流几 乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流。
4、扩散和漂移：多数载流子移动时扩散，少数载流子移动时漂移。
5、复合：电子和空穴相遇就会复合，大量的电子-空穴对复合就形成电流。
6、空间电荷区：也称耗尽层。在PN结中，由于自由电子的扩散运动和内电场导
致的漂移运动，使PN结中间的部位(P区和N区交界面)产生一个很薄的电荷 区，
它就是空间电荷区。在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者
说消耗殆尽了，因此，空间电荷区又称为耗尽层。P区一侧呈现负电荷，N区一 侧
呈现正电荷，因此空间电荷区出现了方向由N区指向P区的内电场。内电场将阻
碍多子的扩散，而少子一旦靠近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方。PN结
正偏时，内电场减弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。PN结反偏时，
扩散运动使空间电荷区加宽，内电场增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩
散。
7、内电场：PN结附近空间电荷区中，方向由N区指向P区的内电场。内电场对
多数载流子起隔离作用，而对少数载流子起导通作用。
8、载流子：可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。金属中为电
子，半导体中有两种载流子即电子和空穴。
9、少数载流子：P型半导体地少数载流子是自由电子，N型半导体中是空穴。
10、二极管：单向导电性。正偏多数载流子可以通过，反偏少数载流子可以通过。
反偏时P型半导体和N型半导体不能提供源源不断的少数载流子，所以反偏近似
无电流。

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板子上的地是怎样返回到发电厂的

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