对 闩锁效应 的一些理解

本来正在运行的电路，因受干扰或内部出错而僵住于某个状态（类似于电脑的死当），都可算是闩锁效应。
对于恒压源供电的电路，饱和闩锁是不允许的，若电源当恒流源，则截止性闩锁将造成灾难，可控硅及λ二极管都是双稳器件，在模块里头的电路，元件间的隔离通常使用PN结而不是绝缘物，这往往就凑合出「可控硅或λ二极管」来，
除了有自激之虞外，还会因前级严重饱和而失去反相关系，导致放大器级数由奇变偶而闩锁，这是多级集基耦合大环路负反馈放大器受超强干扰时可能发生的故障，不过，由于各级电路是並联的且均有直流负载，闩锁不会导致电源短路或开路，
狭义的闩锁效应，是指CMOS或IGBT这类器件的 可控硅效应，这专题在网上的图例多的是，而且画法千篇一律，我的图把画法改了，使「可控硅」更像可控硅（而实质上，是IGBT化的SCS），
按常理，CMOS是不该直通的，但如果有负载，则任何一只MOSFET开通都会有电流，这电流若然老老实实地在MOSFET里通过，那敢情是好，问题是沟道跟衬底一体且阻值相若，沟道电流或会往衬底扩散，任何一只MOSFET开通，这个「SCS」都会被触发，「SCS」一开通，电源即被短路，不管闩锁与否！

为使pnpn四层器件可以触发关断或防止闩锁，引入了阴极或阳极短路法，
在IGBT中，须去除MOSFET的NPNBJT功能，短路要在阴极，在GTO中，需要足够高的通断增益(减小触发功率)，短路要在阳极，至于SCS嘛，对称器件对称处理，阴阳两极都短路了，
短路分流分的是功率电流，不能把讯号旁路，故此，短路点的位置，必须远离输入端，也就是说，如果是单个元件，短路跟闸极应各踞一端，若然是多胞体系，则间插排列，大概是这样吧。