N沟道耗尽型MOS场效应管的结构与原理

          耗尽型的MOS场效应管制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入了大量的正离子，因此，即使栅极不加电压（UGS=0），由于静电感应，这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够多的负电荷，形成“反型层”，从而产生N型的导电沟道。此时，给栅极加上正电压（UGS＞0），沟道变宽，ID增大；反之，给栅极加上负电压（UGS＜0）时，沟道变窄，ID减小。当栅极负电压大到一定数值VP（夹断电压）时。会使反型层消失，ID=0。

上学时没有好好学 现在补习

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