请教各位关于三极管击穿电压的问题

请教各位大大一个问题，为什么三极管的Vceo电压会比Vcbo电压低?

另外三极管的集电区和基区，哪个区的参杂浓度高?

放大状态下，左侧PN是正偏，右侧是反偏。反偏阻碍载流子流通，相当于开路，电压就大了。正偏就反着理解。  
C极要吸收载流子，所以面积大。E是发射极  总得发射东西，所以子弹要多，就标示参杂度高