求问：N沟道MOS管导电介质

RT，最近看模电看迷糊了，在此请教各位大虾，N沟道增强型MOS管，衬底是P型硅片，那么是多子参与导电还是少子呢? 是自有电子还是空穴呢?

自由电子从哪儿来的呢?P衬底的多子是空穴啊，自由电子是少子。N区的自由电子由于PN结作用应该也跑不出来。