N沟道MOSFET的逻辑电平的FDN359AN
时间：10-02
整理：3721RD
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<p align="left">这款FDN359AN是N沟道逻辑电平MOSFET的生产采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，特别是针对已尽量减少对通态电阻和开关性能优越而维持。这些设备非常适合低电压和电池供电的应用在低线的功率损耗和快速开关是必需的。<a href="http://www.hkkct.net/stock/fdn359an.html"><font color="#000000">FDN359AN</font></a>能非常快速切换、低栅极电荷（5nC典型值）和高功率版本的工业标准的SOT - 23封装。同出脚的SOT - 23，30％为高功率处理能力。</p>
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<p align="left">这款FDN359AN是N沟道逻辑电平MOSFET的生产采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，特别是针对已尽量减少对通态电阻和开关性能优越而维持。这些设备非常适合低电压和电池供电的应用在低线的功率损耗和快速开关是必需的。<a href="http://www.hkkct.net/stock/fdn359an.html"><font color="#000000">FDN359AN</font></a>能非常快速切换、低栅极电荷（5nC典型值）和高功率版本的工业标准的SOT - 23封装。同出脚的SOT - 23，30％为高功率处理能力。</p>
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