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FOD3120,TLP350,TLP250

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

FOD3120,TLP350,TLP250

这三款是用来进行IGBT栅级驱动和POWER MOSFET栅极驱动的8 PIN DIP封装的光电耦合器,其中FOD3120,TLP350的输出峰值电流IO = ±2.5A (max),TLP250的输出峰值电流IO =±1.5A (max.),因此他们非常合适用来驱动1200V/(20-100)A的IGBT,由于IGBT在直流和交流无刷电机驱动器,逆变器,UPS,开关电源,变频器等方面的广泛应用,因此IGBT驱动光耦同样可以应用在这些产品上。

由于功率 IGBT 在电力电子设备中多用于高压场合,所以驱动电路必须与整个控制电路在电位上完全隔离,利用光电耦合器进行隔离,具有体积小、成本低、结构简单、应用方便、输出脉宽不受限制等优点。



  

一些基本参数

输入电流 IF=5mA   

电源电压VCC=15 to 30V

电源电流ICC=2mA  (TLP250 ICC=11mA)

延迟时间tpLH/tpHL= 500 ns (max)

动作过程


当IF输入 H 时,Tr1导通,Tr2截止,因此 VO=Vcc – Vtr1=H

此时Io的电流向外,基于此点,故可以接一个栅极电阻后直接驱动IGBT,无需外接电路

当IF输入 L 时,Tr1截止,Tr2导通,此时 VO=Vgnd+Vtr2=L

此时如果IGBT栅极上有残存的电荷,可通过Tr2到GND进行放电,关闭IGBT

逻辑关系如下


注意事项

1. 为了保证电压的稳定,防止电压突变损坏IGBT,需要在8脚与5脚间需要接一个0.1uF的电容。

2. IGBT大多是工作于感性负载状态,当其处于关断状态,反并二极管正在反向恢复过程时,就会有很大的dv/dt加于CE两端,由于米勒电容的存在,I=C*du/dt,将会产生瞬间电流流向驱动电路,与栅极电阻作用,将产生电压,此电压若超过IGBT栅极开启电压,则会造成IGBT误触发导通,因此提供负偏压-Vge能有效防止误触发,建议VE接负压。

3. 通常情况下,如果VGE过高,一旦发生过流或短路,栅压越高,则电流幅值越高,容易损坏IGBT,因此综上所述,实际工作时,建议VCC=+15V,VEE= -15V

使用实例

在整流电路中的应用



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