三极管原理的疑问 谢谢！

三极管原理里面多子，少子怎么扩散漂移我都明白。回过头看看有几个疑问
1.拿NPN来说，集电极到基极的方向相当于反置一个二极管；基极到发射极的方向相当于正置一个二极管。那么当三极管基极正偏，集电极反偏。大量正电流从集电极流向发射极必然会击穿由集电极到基极方向的二极管，这晶体管击穿之后不就坏了吗?
2.虽然多子少子的运动我明白，但是我想不明白为什么基极要正偏集电极才有电流。我觉得集电极反偏所加电压很大，他可以反向击穿集电极到基极方向反置的二极管，然后顺利通过基极到发射极方向正置的二极管，从而不用基极正偏，集电极也可以产生电流。
3.跟上面的疑问有关系，基极电流很小，但肯定会对发射极电流产生影响，但我没觉得会产生多大的变化。当基极电流的交流部分处于正半周时，会减小集电极到基极之间的压差，但基极电压的浮动相对于Vcc（集电极反偏电压）是很小的，发射极电流怎么会产生如此之大的变化?
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帮忙看下，谢谢！

1.集电极到基极的反向击穿电压应该是很大的，我查了一个，最少要40V，所以一般的反向电压都是没问题的。
2.是基极上的电子运动到集电极才形成的集电极电流，而基极的电子是发射极在发射结导通后扩散过去的
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好问题哈哈。

也学习下

先回答你的第一个问题：基极正偏，集电极反偏。没有你说的什么二极管反掉的问题。可以看基础的模电知识。因为中间的p区很小，基极正偏，大量电子由n移动到p区，因为p区很小，和空穴中和的很少。集电极反偏，未中和的电子会进入n区。这个过程书上有。不要把npn想成两个二极管接在一起。
第二第三个问题参考第一的回答，兄弟还没把npn电子流动原理看清楚！

也学习了！

其实这不用明白，只要知道这是NPN三极管的特性就行了。
Ib(基极流向射极的电流也称控制电流)  乖以  三极管的放大倍数=集电极电流(Ic)。
这时Ie=Ib+IC
另从NPN三极管的 C、E极箭头(C极未画)指向便知，C极所加的允许范围内的电压是不会反向击穿 C B 结的

http://v.youku.com/v_show/id_XMjA4NzI3MjEy.html

和两个二极管连接不一样的，电路可以等效，但原理有质的区别

1. 通过集电极的是 Icbo 与 Ie。
2. 发射结正偏了，复合才能做，有复合，正向势壘才能通。
3. 势壘开通了，Ie 才可跳到集电极去，开通所需的复合量很少，这就是 Ib 中的有效成份。

这个问题很典型。

受教育了！学习学习！