高通骁龙835全面解析，牛到不要不要得！

时间：10-02 整理：3721RD 点击：

如今在手机圈，一年能发布各种品牌上千款手机，但手机最核心的处理器、尤其是旗舰处理器，一年也只有那么寥寥数款。当下每代处理器的升级，不仅意味着性能的提升，在一定程度上还代表了未来产品技术演进的方向，并且影响着各品牌期间产品的发布规划。在2017年CES大会前夕，北京时间1月4日，高通在CES大会前夕正式揭晓了今年最顶级的处理器：骁龙835，而谁能成为这款芯片的首发产品也成了时下手机圈的一大趣谈。究竟是怎样一款芯片能让各家厂商趋之若鹜，我们今天就来看看此次骁龙835是一款怎样的产品。

SIMsun, arial, helvetica, clean, sans-serif"> 来到2017年，唱主角的自然是这款刚刚发布的骁龙835，不过老实说在之前很多人都认为这次的新旗舰会命名为骁龙830，甚至不少媒体已经在前期的相关内容当中直接称其为骁龙830，不过有句话怎么说，打脸总是难免的，这次高通在处理器命名上玩了一点小心思。

　　骁龙835将是首款采用三星10nm FinFET工艺的量产处理器，在此之前的骁龙821采用的是14nm，一度认为在移动芯片平台至少会在14nm这个坎上停留一段时间，谁想下半年各家晶圆代工厂纷纷上马10nm，工艺上的激进突破跟中国手机市场现状真是一样一样的。

　　10nm究竟是个什么概念?我们知道在处理器当中有着数以亿计的晶体管，据悉骁龙835和苹果最新的A10 Fusion处理器晶体管都达到了30亿以上。而这个10nm是指晶体管的沟道长度，自然是长度越短体积就越小，从而在同样处理器尺寸的前提下能够放下更多的晶体管来提升性能，或是采用同样的晶体管数量制造出尺寸更小的处理器。

从高通发布的数据来看，每颗骁龙835上都集成了30亿个晶体管，逼近iPhone7上采用的A10 Fusion 33亿的数量，因而才实现了骁龙835对比骁龙820降低了25%的功耗。在高通的介绍中，骁龙835采用第二代FinFTF工艺，能将芯片封装面积进一步减小35%，大约为153mm2，与A10 Fusion的125mm2比较接近。不过需要注意的是，骁龙835还集成了基带，因此骁龙835的封装面积还是非常不错的，而进一步降低封装面积，则能够使厂商在做内部结构设计时更加留有余地。另外，从之前看到的消息，骁龙835采用的是LPE(Low power Early)工艺，因此笔者推测之后可能还会有一个LPP(Low Power Plus)的升级版。

Adreno 540 GPU与Hexagon DSP：
相比于CPU，GPU在某种程度上显得更加重要，而Adreno系列则是高通一直引以为豪的产品。骁龙835搭载Adreno 540 GPU，主频为670MHz，图形处理性能相比上一代提升25%，并且支持OpenGL ES 3.2、完整的OpenCL 2.0、Vulkan和DX12等各种图形标准。一直以来，大部分3D游戏都通过OpenGL标准交互，但由于其出生于90年代，如今的OpenGL已经显得廉颇老矣，对于目前市面上多核处理器的利用效率较低，在图形处理的效率上比较低，而骁龙835支持的Vulkan改善多线程性能，渲染性能更快，摆脱OpenGL依赖CPU运算的方式，使GPU与CPU之间无需事先拷贝数据，在同样的内存下同时进行读写，充分发挥多核处理器的并行计算能力。

而根据高通官方PPT我们可以看到，除了GPU之外，骁龙835依旧保持了从820以来的VPU(视频处理单元)和DPU(显示处理单元)。其中DPU支持10-bit 4k@60fps显示，Q-Sync以及更宽色域;而VPU则支持4K HEVC 10-bit硬解码能力，还提供了视觉聚焦区域渲染。

高通骁龙835图解：