微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > CST学习交流 > 请问CST MWS I算法求解单站RCS是否可以进行扫频设置

请问CST MWS I算法求解单站RCS是否可以进行扫频设置

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
如题,利用I算法的 Fast RCS Sweep求解单站RCS是否可以添加扫频设置?如果有如何添加?
因为需要,必须计算一个介质目标的单站RCS,所以A算法用不了了。而I算法里面的快速RCS里又没找到扫频的设置,我知道有双站远场监视器的宏,但是单站RCS就不知道怎么办了,请各位大大帮忙解答

看看在这里设置一下from to能不能解决扫频问题。


提供一个新思路,如果是介质的话可以用涂覆操作,这样就可以在A中仿真了

感谢小编提供是思路,您提供的方法测试不可用,提示扫频只能在S参数定义下使用
不过可以再下面Single Samples里面手动多添加几个频率。

可是用涂敷的话岂不是要加入PEC材料了,要是计算的就是单纯的介质材料呢?

这个我倒是没考虑到,要是只有介质的话  就只能用I了

翻了下help,A算法简介
Please note: The solver currently only supports scattering at PEC or surface impedance type objects with vacuum background materials and open boundary conditions.

概括起来一句话:A只能求解真空中无耗媒质的远场问题

那有人用T求解器计算过PEC上涂覆材料吗

你说的Single Samples是所谓的后处理模型吗 或是在列表中的farfiled下吗 那里的RCS好像是双站RCS啊


不是,2楼图片那个窗口

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top