基于CST MWS的PCB之差分对SI仿真

本人对PCB板的一对差分对进行SI仿真，分别进行单端口设置和差分形式设置这两种方式进行仿真，发现仿真得出的S参数有挺大的区别。
我分别做了以下三种仿真：
1.单端口设置时，选择差分对USB+、USB-、GND
2.差分形式设置时，选择差分对USB+、USB-
3.差分形式设置时，选择差分对USB+、USB-、GND
通过以上三种仿真发现得出的S参数都不相同，各仿真时，端口的阻抗我都确认过没有问题，网格设置也是一致的。
出现这样的结果让人很困惑，特向论坛高手请教：在做差分对SI仿真时，在差模激励下，到底要不要选择GND?据CST官网介绍是不选ＧＮＤ的，如果不选ＧＮＤ的话，导入到ＭＷＳ中的模型是没有GND层的，这跟实际也是不相符的。因为实际中GND的存在对差分对的ＳＩ肯定是有帮助的。
望高手帮我解答一下！感谢！

模型，起码有个截图也是好的啊

不好意思，没上截图，点击这个链接http://bbs.rfeda.cn/read.php?tid=75947　可以查看详细的模型。感谢！

如果是纯粹的差模，根本就没有“地”的概念，当然不需要GND。
如果GND对性能有很大影响，说明模型的共模特性不可以忽略。
所以在假设小编的模型参数没有问题的前提下，小编的模型需要考虑的是混合模式，而不是纯粹的差模。

那就是所对于一块实际的PCB在进行差分对SI仿真时，如果采用差分端口形式而不是单端口形式的话，然后又需要考虑差模和共模的情况，那么就需要勾选GND，他它一起加入到仿真模型中，是这样理解吗?
感谢你的解答，受教了！

是不是GND层对差模的场有影响?

我感觉是有影响的，我对同样的模型和同样的网格设置分别进行了仿真，有GND和没有GND的情况下，得出的同一端口的S11不一样。