CST建立新材料如何设置elsilon和mue

本人想做个简单的涂覆材料仿真，典型RAM的电磁参数中epsilon和mue是复数，而CST材料设置中的epsilon和mue似乎都没有虚数部分，请问有没有做过类似的仿真呢，这部分材料的设置要怎么设才合理?

如果你要输入复数的Permittivity和Permeability，那需要将他们的虚部换算成损耗角（Loss Tangent）。
之后，在材料的Conductivity里面的tangent delta electric和tangent delta magnetic里面填上对应的数值。
如果损耗角随频率的变化非常明显，那你需要设置Dispersion。

十分感谢！

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