微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > HFSS仿真学习交流 > hfss加平面波激励的时候辐射边界条件应该怎么设置

hfss加平面波激励的时候辐射边界条件应该怎么设置

时间:10-02 整理:3721RD 点击:



仿真模型是一个被平面波激励的微带结构 求端口的感应电压  发现辐射边界条件选radiating only和incident field的时候结果不一样
有人知道为什么吗 辐射边界到底该如何设置 谢谢大神

同样求问,这两种边界条件仿真的很不一样

顶起!1

请问你知道啦吗?

请问你知道啦吗?

后来我选了incident field,因为选radiation only ,hfss计算的是辐射场,选incident feild计算的是总场,我觉得我仿真的情况需要求的是总场,就选了incident,只是个人见解,不是很确定

选incident feild计算的是总场,感觉用这个更准确吧

thanks!

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top