C波段GaN HEMT单片式微波集成电路高功率放大器
时间：10-02
整理：3721RD
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：“这是首款可为卫星通信应用提供全新高性能的 GaN MMIC 产品，GaN HEMT 技术可实现出色的线性效率与功率增益。 GaN产品不但将对热管理技术产生巨大影响，还可使商用及军用卫星通信系统的尺寸更小、重量更轻。”
CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ，是一款 50 欧姆 (Ω) 、25瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15瓦特线性功率（<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下，功率附加效率为 25%。
该器件采用小型封装，可减小晶体管尺寸与重量，降低热管理的成本，从而实现出色的线性效率（比传统解决方案高 60%）。此外，该器件运行时需要的工作电压（28伏特）大于 GaAs MESFET（12 伏特），因此晶体管还支持更低流耗，可降低功率分布损耗，实现更高的整体系统效率。
CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ，是一款 50 欧姆 (Ω) 、25瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15瓦特线性功率（<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下，功率附加效率为 25%。
该器件采用小型封装，可减小晶体管尺寸与重量，降低热管理的成本，从而实现出色的线性效率（比传统解决方案高 60%）。此外，该器件运行时需要的工作电压（28伏特）大于 GaAs MESFET（12 伏特），因此晶体管还支持更低流耗，可降低功率分布损耗，实现更高的整体系统效率。