波端口大小对特性阻抗的影响仿真总结
最近在仿真一个特性阻抗为50欧姆的微带传输线，发现波端口的大小对特性阻抗有很大的影响。
以下是结合书本对波端口的认识，欢迎大家一起交流：
1.波端口的大小决定了端口的模式，尺寸越小，越有利于单模传输，这是因为波端口激励是假设和一个半无限长的矩形波导相连，因此波导的尺寸越小，截止波长越小，越有利于单模传输。在只进行端口求解时，可以观察Gamma参数的虚部来查看可以传输哪些模式，hfss fullbook中有一个关于waveport的具体例子，大家可以查看。
2. 波端口的大小影响端口阻抗的计算，这就给端口特性阻抗的计算带来了影响，选择多大的端口才能符合实际。以微带为例，HFSS应用详解中给出了相应的参考波端口大小，当w>=h时，波端口的宽度一般设置为10w，当w<h时，波端口的宽度一般设置为5w（3-4h）；波端口的高度一般设置为6-10h。这只是参考的数值，到底多大计算出来的端口特性阻抗才能满足实际要求，希望知道的一起交流下。
3. 波端口的尺寸也不是越小越好，因为进入毫米波段后，有时需要考虑高次模的影响，实际实践中也会引入高次模。再以微带传输线为例，为避免电场耦合到波端口边缘上，影响传输线的特性，波端口必须设置足够大的尺寸。
以下给出波端口尺寸不同时的端口特性阻抗仿真结果。w=1.6mm,h=0.5mm.
图1的波端口尺寸为：9w*9h
图2的波端口尺寸为：7w*9h
由于波端口的尺寸改变较小，端口特性阻抗的变化较小。
对小编列的3条结论没有什么异议，就是小编提供的两个图有话想说，按照第2条，建议小编列出14w,12w,10w,8w,6w,然后再以此为一组改动4h,6h,8h,10h,12h，最后给出一个二维的结果图就很清晰明了，当然这个问题其他坛友也可以做，俺觉得是值得做一下的@@
顺便请教一下：HFSS里面如何具体计算S参数的，俺发过帖子，好像还没有解决这个问题。
嗯，有时间一定做下。不过按说到一定尺寸后，阻抗变化应该不是很大。
看了看full book上面的例子，有些问题，不知道该怎么问，正好在这个帖子里面希望能达人指点
1 什么是波端口呢?
看过几个帖子，貌似是外部激励的一种形式。
是这个意思么?采用一定的波端口，在微带线里面会激励出不同的模式来?实际上波端口的设定和模型本身没有关系，影响的是输入的激励是什么样的?
2 看fullbook上要调整波端口的参数，让里面只有一个模式
为什么要只有一个模式呢?存在多个模式的时候有什么不同的影响么?
你这个问题我以前真没想过，刚刚查了下help文件和书本，感觉还是从入射场和反射场计算来考虑，这也是S参数的定义。具体计算是不是场强沿端口的面积分?我也没查到具体公式。不好意思啊
觉得这种讨论挺有意义的，小编应给给予大力支持，只有这些讨论才能促进大家的提高呀。
我以前设置波端口的时候就感觉差不多就行了，看来以后得注意了
要想准确,strip请用集总参数端口。
有人提到过一个公式，在俺的帖子里有写：http://bbs.rfeda.cn/read.php?tid=48769
按照S参数的来源看是散射等效电压的几个比值，而散射等效电压又与端口的电磁场强度有直接关系，所以一般理论认为S参数是散射各能量之间的比值；电场强（或者磁场）沿端口的面积分是个什么物理意义呢?电通量（或者磁通量）吗?期待更多的思考～～
恩，可能是这样的，多做一些会让得到的结论更有参考性，也让自己更加明白～
俺的理解：波端口就是一种特殊的边界条件，你设计或者检测模型不就是想得到它的频率响应嘛?～
对于单模式传导，俺猜测或许说明现在人类还没有掌握处理多模式甚至兼并模式的一些理论或者技术问题，尽量通过控制某些可控制的因素达到场或波的单模传输～
集总端口没有办法计算端口的特性阻抗啊。不知道用集总端口能求微带的特性阻抗吗?望继续交流。多谢
应该是场强的平方沿面积的积分吧，这样得到端口处的能量。
moviez 对单模是怎么理解的呢?请指教
恩，俺也这样子理解，只是俺给的那个公式是文献给的，不知道是不是打错了?还是你我理解有误//
单模就是一种传播模式，可以单独传播，也可以跟其他模式组合在一起传播，不过对于人类所掌握的技术，以及考虑到损耗等等细节，往往倾向于单模传输（不知道现在技术到底什么地步了，或许已经解决了相关理论问题）
如果因为波端口的选择，多出来几个模式，那么这几个模式是不是一样要分配掉能量呢?
那也不一定吧，看你这个模式在仿真频段内是否处于端口的传输模，如果是截止模式，则不分配能量
会存在这种情况么?算出来有这种模式，但是本身是截止的?
我是菜鸟，以为在full book里面例子里给出的结果就是可以传输的模式呢。学习了
不明白的是在那个例子里面给出的几个模式，怎么判断哪个是传输的哪个又是截止的呢?
判断传输或者截止模式，观察Gamma的虚部随频率的变化就可以看出来。如果其虚部对应为0，表示该模式在该频率下截止，否则为传输模式。
算出来的是传输模式应该就是传输模，要不软件就有问题了。
集总端口没有办法计算端口的特性阻抗啊。不知道用集总端口能求微带的特性阻抗吗?----------
一定可以，俺用过NN便了！
一定可以，俺用过NNNNNNNN遍了！
单模一般是指基频模
存在这样的情况，波导可以传导高阶模式而不能传导基模的情况么?
有可能。这时候激励无基模成分。
mhzghz的意是说波导本身能传到基模，但是激励中不存在基模，所以波导中只存在高阶模式么?
我的问题是
1 在不考虑激励，对于波导而言，它本身能传导的模式可能出现能传导高阶模式而基模却截止的情况么?
2 对于波导而言，特定频率下，能传输的模式和激励没有关系吧?这算是波导本身的性质么?
菜鸟一枚，还请不吝赐教
所谓波导的基模就是一定大于等于该波导的截止频率。
对于第一个问题，不可能出现那样的情况。因此传播模式的条件是f>fc(fc是模式的截止频率)，而基模的截止频率小于高次模，所以能传导高阶模式必然能传输基模。
第二个问题，波导能传输的模式只与其自身的尺寸，材料等相关，可用本征模理论进行求解，与激励没有关系。
请认真看完这个帖子吧，http://bbs.rfeda.cn/read.php?tid=718&page=2。您的理解好像不对，欢迎继续交流。
非常感谢您的帮助。
回27楼，波导，波导的基模 和 生成波导的基模的激励是最基本的理念。如果不懂，就无法做微波！
