RFID天线HFSS仿真中S11参数小结

从昨天到现在一直在纠结这个问题，HFSS里得到的S11参数曲线和自己的计算值不一样。
然后经过了昨天在论坛上请教，和跟他人的讨论，终于得到了一个和HFSS接近的结果。
首先感谢大牛“上海张江男”
我一开始用来计算反射系数的公式是 t=（zc-za*）/（zc+za），zc是芯片阻抗，za是hfss计算得到的天线阻抗，s11=20lg|t|，得到的结果就跟HFSS相差很大

 
后来经过大牛的指点，改成t=（zc*-za）/（zc*+za），zc*是芯片阻抗的共轭，也就是仿真时设的端口阻抗，然后s11=10lg|t|，最终得到的结果比较接近

 
虽然得到了结果，但我还是不理解，按照以前看的文章，反射系数的公式都是t=（zc-za*）/（zc+za），但为什么HFSS里面却采用了t=（zc*-za）/（zc*+za）?
希望牛人再给我指点一下
翻了一下书，确实是概念没搞清，S11就是反射系数，在这里应该算作电压反射系数，所以直接取了10lg。而（zc-za*）/（zc+za）在KVS. Rao的文章里定义的是wave reflection coefficient，和《射频电路设计——理论与应用》里面的定义是不一样的。
目前还不知道为什么会有这样的差异，还是要看书啊！

za是hfss计算的天线的端口阻抗，用这个阻抗计算天线的S11时，应该是按照天线端口在传输最大功率时理想的端口阻抗，这个阻抗就是芯片阻抗的共轭zc*
因此，反射系数t=（zc*-za）/（zc*+za），这和其他的公式本质上没有什么区别
还有在你上一个帖子中这个问题由thirey （上海张江男）在9楼中说的很清楚了
就是概念的问题，你可以回去你之前的帖子再看看他的说法

学习了！
S11参数我导出来时都没有设置反射系数t=（zc*-za）/（zc*+za，不知道对不对哦！

一楼说电压反射系数，所以直接取了10lg?
电压反射系数，不是应该取20lg吗?

学习学习,确实概念得搞清楚

小编，不知道你的问题解决了没有?这2个公式到底有什么区别呢》?

关注一下。

学习了学习了

Man, it`s voltage， not power. If it`s power ratio, it`ll be 20*log.

MAKE下子！