HFSS仿真RFID天线的问题
然后出现如下界面
这里的阻抗该如何填入呢，比如Alien higg 3 给出的
R=1500ohm
C=0.85pF
我该在这里填入多少呢，如何计算的?
然后 后面还有如下界面
请问这里选择用50ohm归一化和选择不归一化，对结果有什么影响呢?
1.你要将R 、C值转化为Z的形势具体你自己计算：在有个例子：以TI资料中915M read时的阻值380欧姆和电容2.8PF为例，可根据Q值建立 串并联间的关系，对于电阻电容并联电路，Q=R*wC,由此得出Q=6.2, 又Rs=Rp/（1+Q2）=380/（1+38.44）=9.6,又Z=R+1/jwC,而1/wC=6.2*9.6=59.5，所以芯片的串联阻抗为9.6-j59.5,一般取10-j60。
2. 如果你想看S11，可以通过编辑公S11=｜(Zc-Z*ant)/(Zc-Zant)|,这样你说的设置都不用改。其第一个对话栏中改了也不影响结果
3.如果要看其他内容，比如辐射效率什么的，最好还是把第一个对话栏中改为芯片阻抗的共轭，然后将第二选：do not renormalize
以上是个人看法，因为我也只是仿过，没有做过实物。
Project2 (F:/HFSS Data/)
HFSSDesign1
[error] Acis error: "Fail to create Polyline. Possible reason(s): a). curves in the list are not connected, or b). there is a closed curve in the list. Please check the curve list.. Acis Error 44072 - cannot make wire with duplicate vertices " (10:44 上午 三月
[error] Body could not be created for part because of invalid parameters to Polyline operation. (10:44 上午 三月 12, 2010)
[error] Failed to copy local file initialmesh.hyd to file F:/HFSS Data/Project2.hfssresults/HFSSDesign1.results/DV40_V30.imesh/initial.hyd. Error: 系统找不到指定的文件。 . (11:14 上午 三月 12, 2010)
[error] Unable to save current mesh data for simulation: Setup1 (11:14 上午 三月 12, 2010)
[error] Simulation completed with execution error on server: Local Machine. (11:14 上午 三月 12, 2010)
这是怎么回事呀
多谢您的回复
我是个新手，有两点不理解
1） 换算得到的阻抗中 Rs=Rp/（1+Q*Q） Im=Rs*Q 是通用的吗?
2） 您说的使用公式是在具体进行仿真操作时哪一步做的?
这个我好像也遇到过
Acis error: "Fail to create Polyline. Possible reason(s): a). curves in the list are not connected, or b). there is a closed curve in the list. Please check the curve list.. Acis Error 44072 - cannot make wire with duplicate vertices "
是又可能有线条不封闭或者有地方线有重复
后面那个我不清楚，把杀毒软件关掉试试
1.芯片阻抗以串联（电阻串联电容的时）是这个公式
2.在你仿真完看结果的时候，有个地方可以自己编写输出函数
我按“把第一个对话栏中改为芯片阻抗的共轭，然后将第二选：do not renormalize”设置，可是S11在有些频率是大于0的，S11不是应该都是小于0dB的吗?
设置port时根本不用改 照样50-Ohm下去跑就好，看return loss(S11)是在result 之后的事，反正在RFID tag design，return loss是由tag的输入阻抗跟chip impedance决定的，跟port无关。
在result->增加输出变数，在输入公式即可。
完全正确，仿真以后后处理，改这个参数不影响s11，改了也不管用
请问，lumped port所设定的输入阻抗值，指的是蕊片的impedance吗?如果是，在设定port应该就不是用50-Ohm下去跑吧?
使用规格书的阻抗值，模拟出来都好怪啊，S11会大于0呀?
本人也为这个问题郁闷了好久，
我将hfss仿真后的Z Parameter 实部re 虚部im导出，
即输入阻抗Zin=re+i*im，Z0为设置lumped port的阻抗，也为芯片的共轭阻抗，是复数，
然后通过公式 S11=|（Zin-Z0）/(Zin+Z0)| ，再20*log10（S11） ， 用matlab画图，发现和hfss的report完全一致，
所以本人认为lumped port 或者wave port 的阻抗应该设置为芯片的共轭值才能与hfss保持一致，
port的意义
并不是要天线和共轭，只是天线的输入阻抗要和它比较，或者理解为天线的特征阻抗Z0，
不知道我说清楚没有。
但是我还有一个问题，对于RFID标签天线，很多人导出阻抗矩阵，用公式 S11=|（Zin-conj(Z0)）/(Zin+Z0)|来计算并画图， 而认为
hfss计算不准确，到底是什么原因呢，希望大家讨论一下哈。
你好，你说的很有道理，
公式不是 S11=｜(Zc-Z*ant)/(Zc-Zant)|,
你写错了吧，应该是S11=｜(Zc-Z*ant)/(Zc+Zant)|,笔误?
但是为什么不是S11=｜(Zc-Zant)/(Zc-Zant)|,课本都是这个公式啊，
为什么要取共轭呀?
我也在仿真RFID天线的磁场，你说的tag的输入阻抗跟chip impedance我有些不太明白，是在建模时要建立tag的模型吗?