请问一下:如何通过S参数反映插入损耗？

请问一下:如何通过S参数反映插入损耗?我做的RF MEMS开关的插入损耗要求是损耗小于0.5dB,但我的结果大很多。而且S12达到了-100多dB,请问是什么原因,是建模的问题吗?
谢谢！

如果我没有弄错的话，插入损耗Li=10log((abs（（1-S22*终端反射系数）/S21）)^2)
你计算一下，再看看吧。
欢迎你继续在论坛里讨论。

其实一般插损直接在结果里看s21，s21是1口到2口，s12是2口到1口，你看你的东西是不是互易的，要不是则s21不等于s12。另外看看有没有设置空气框之类的东西

我做的RF MEMS开关的插入损耗要求是损耗小于0.5dB
我做的建模是外边有空气盒子的,我的是对称结构,您是说我直接看S21就可以了吗?也就是说我要达到的结果是S21<0.5dB,是吗?

插入损耗是有一个公式可以计算的，你上网收索一下就应该知道。
其实也是可以用S21参数间接体现的，因为如果互易，插入损耗就只跟S21参数有关了
好像就是Li=-20×log(abs(S21))，你再式一下嘛

我做过波导的插入损耗仿真，S12就是插入损耗值，而且与理论值非常吻合，只是差了个负号，对于其他环境不知适不适用。

所谓插入损耗，就是指你这个器件插入一个系统后给这个系统带来的附加损耗。对于而端口器件来说，S11、S22表示端口反射，S12、S21表示端口增益或者电压传递系数。对于无源有损耗的器件，S12或者S21通常小于1。因此,对于互易二端口网络器件，其插入损耗便为-20log(|S12|)

同意6喽的说法，在无源器件构成的阻抗匹配网络中，一般都是互易网络，即它的S12和S21相等。
晕死，竟然是07年的帖子，我来挖了回坟

也就是说插损和S21如果是无源器件的话就是差了个负号是不是啊

IL=-S21吧 IL定义为为1端口输入2端口输出的损耗的时候