Ka band GaN脉冲功放设计
时间：10-02
整理：3721RD
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摘要 -
利用0.2um GaN SiC HEMT MMIC工艺技术设计三级的Ka波段功率放大器。 测量两者脉冲和CW，设计测试结果超过5 W的饱和功率和相关的功率附加效率（PAE）为41％。 尺寸为2.62×1.62mm。
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利用0.2um GaN SiC HEMT MMIC工艺技术设计三级的Ka波段功率放大器。 测量两者脉冲和CW，设计测试结果超过5 W的饱和功率和相关的功率附加效率（PAE）为41％。 尺寸为2.62×1.62mm。
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