上海大革智能科技有限公司打造碳化硅产业化项目

面对全球日益严苛的能效要求，节能减排已成为现今电子产品不可忽略的重要环节；传统以硅为材料的功率半导体，正逐渐面临发展瓶颈，而具有比硅更低导通电阻及更高切换速度的碳化硅（SiC）功率器件以其优异的高耐压、低损耗、高导热率等优异性能，有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。 碳化硅（SiC）作为功率器件的能量损耗只有硅（Si）器件的功率50%，发热量也只有硅（Si）器件的50%；且有更高的电流密度。在相同功率等级下，碳化硅（SiC）功率模块的体积显著小于硅（Si）功率模块,以智能功率模块(Intelligent Power Module，IPM)为例，利用碳化硅（SiC）功率器件，其模块体积可缩小至硅（Si）功率模块的1/3～2/3。 《中国制造 2025》是我国实施制造强国战略第一个十年的行动纲领，其中提出，要以智能制造为突破口和主攻方向。以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体电力电子器件制造成套工艺与装备，作为作为电子领域的智能制造得到了国家重点的关注。 上海大革智能科技有限公司，选定与日本日新技研株式会社合作，研发 PVT（升华法），HTCVD（高温气相沉积法）制造6寸碳化硅4H和半绝缘晶体。

上海大革整合了国内晶体合成领域的专家，启动碳化硅长晶项目。同时将结合国内多家投资公司，建立一个规模10亿人民币的碳化硅产业基金，用于碳化硅晶体及下游外延，器件产业的投资。上海大革正在筹备建立的合作碳化硅长晶实验室，预计于2016年底启动。实验室致力于研发高质量大尺寸碳化硅长晶技术，最终目标实现长晶设备和制造工艺的推广和销售。上海大革利用自身作为多年从事中日半导体材料贸易的背景，已经与日本功率半导体器件厂家建立了良好的合作关系，在下一阶段将积极推动碳化硅材料的后续产业，力争实现碳化硅全产业链的国产化。 本文来自化合物半导体，如转载不当，请及时联系我们。