双工器设计心得
时间：10-02
整理：3721RD
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TX.RX抽头线离地越近，耦合越弱，时延大，耦合越强，损耗小，带宽宽，驻波好，时延好。
1. ANT抽头线位置越下，耦合越弱，时延越大，离腔壁越近耦合越强，时延越小，TX RX与ANT相反越近越弱。
2. 抽头引线越细耦合越弱。
3. 交叉耦合改善带宽，圆盘离柱越近耦合越强，越远越弱，圆盘大耦合强，圆盘小就弱，耦合强零点高，抑制差，耦合弱抑制好，零点低。
4. 抽头线定位：（时延定抽头位置）时延大则将抽头对地高增大，可降低时延，时延小则将抽头下降，可增大时延。测试时可将抽头腔附近耦合窗短路为单腔真实值。
5. 降低时延的方法：①增大抽头对地高 ②ANT减小与腔壁的距离 ③增大耦合 ④TXRX增大与腔壁的距离
6. 抽头线高频高，低频低。
7. 当n为奇数时用圆腔，N为偶数时用方腔，腔数越多抑制越好，体积越大损耗越小，多级耦合：从ANT依次排级，第一级控制带外近零点，第二级控制远零点，一级长，二级短。
8. 电感耦合时导线越细耦合越弱，离盖板越近也越弱，越远越强。
9. 接收比发射交叉耦合长。
10. 导体越近离窗口要越小，越远窗口要越大，如果窗口开最大还不行就将导体靠近
11. 主钉进太深就加盘，加盘损耗变大，通过功率变小，一般主钉不进深，以免影响通过功率
12. 温漂计算公式：铝系数（22）x fo温度范围/10的6次方
13. 耦合器两平行微带线宽对驻波影响，两线间隔影响耦合度，电阻位置影响
14. 端口时延大说明耦合弱，将抽头线上移
15. 群时延调试方法：①设低高端中心频率，用时延对公共ANT抽头线位置 ②将每个群时延数据调到波峰或波谷，可调相邻耦合杆直到波形对称，chan/设时延，S11参考线4div chan2设log损耗S21 ③从天线ANT开始排腔4腔，其余从TX或RX排3腔 ④转换log进行最后微调直到所有指标匀合格
16. 频率越高，腔体越矮；频率越低，腔体越高。
17. 频率间隔越近隔离越差，频率间隔越远隔离越高。
调试心得：
1．驻波下不来，将抽头线向上移点，改下后只调抽头附近两腔,还不行将导线加粗。
2． 耦合杆均匀下深损耗小，抑制差，通带宽，下得浅反之。
3．相隔两腔用镀银线代替跨线耦合。
4．每个调协杆均匀进或退可使通带向高或低偏，进则通带向低频偏，退则向高频偏。
5．先存一个通带再接另一端口看交叉点。
6．电感耦合离腔体盖板越近耦合越弱，越远越强。
7． 电容耦合离腔体盖板越近耦合越强，越远越弱。越长也越强！
8． 端口耦合下太深抽头要下降，进太浅则上深！
9．一般RX比TX窗口要大，抽头腔可一样大！
10．频率高腔体矮，低则腔体高！
11．一般正耦合为电容耦合（C耦合）
负耦合为电感耦合（L耦合）
经验
1． 一般圆柱直径与腔体边长之比为1：3.2—3.6之间，因此时QU值最大。损耗低。（缺定住子外经大下用腔体边长乘以0.29）
2． 双工器的窗口规律是输入输出大，中间小。窗口大耦合强，窗口小耦合弱，窗口大小是根据耦合杆进入的深度来判断，太深则耦合弱窗口小，太浅则窗口大耦合太强。
3． 耦合弱时抑制高，插损大，驻波大，时延大，时延大，抽头位置也下
4． 飞杆长耦合强，飞杆短耦合弱（飞杆指交叉耦合）
飞杆盘大耦合强，飞杆盘小耦合弱。
5． ANT抽头离腔体壁越近耦合越强，时延小。RX或TX正好相反
6． 端口耦合进太深抽头要下降，进太浅抽头要上升。
7． 当抑制不够时，高端要电容耦合，低端加电感耦合，对称加装。
交叉耦合安装的三种方式：
①零点对称 ②对低抑制 ③对高抑制
8． 如果带宽太窄可以用多些腔多级交叉耦合，（腔体多可减小带宽）窗口要开小些，腔体大且深插损小。
9． 电容耦合对低抑制，电感耦合对高抑制，频率近用双边抑制。
10． 设计时带宽太宽，腔体个数就少。越窄腔体个数就多。
11． 大功率双工器解决方案：
a. 将调谐杆尽量少入腔内
b. 调谐杆下端成圆柱
c. 谐振杆加粗娈短
d. 腔体加大。
1. ANT抽头线位置越下，耦合越弱，时延越大，离腔壁越近耦合越强，时延越小，TX RX与ANT相反越近越弱。
2. 抽头引线越细耦合越弱。
3. 交叉耦合改善带宽，圆盘离柱越近耦合越强，越远越弱，圆盘大耦合强，圆盘小就弱，耦合强零点高，抑制差，耦合弱抑制好，零点低。
4. 抽头线定位：（时延定抽头位置）时延大则将抽头对地高增大，可降低时延，时延小则将抽头下降，可增大时延。测试时可将抽头腔附近耦合窗短路为单腔真实值。
5. 降低时延的方法：①增大抽头对地高 ②ANT减小与腔壁的距离 ③增大耦合 ④TXRX增大与腔壁的距离
6. 抽头线高频高，低频低。
7. 当n为奇数时用圆腔，N为偶数时用方腔，腔数越多抑制越好，体积越大损耗越小，多级耦合：从ANT依次排级，第一级控制带外近零点，第二级控制远零点，一级长，二级短。
8. 电感耦合时导线越细耦合越弱，离盖板越近也越弱，越远越强。
9. 接收比发射交叉耦合长。
10. 导体越近离窗口要越小，越远窗口要越大，如果窗口开最大还不行就将导体靠近
11. 主钉进太深就加盘，加盘损耗变大，通过功率变小，一般主钉不进深，以免影响通过功率
12. 温漂计算公式：铝系数（22）x fo温度范围/10的6次方
13. 耦合器两平行微带线宽对驻波影响，两线间隔影响耦合度，电阻位置影响
14. 端口时延大说明耦合弱，将抽头线上移
15. 群时延调试方法：①设低高端中心频率，用时延对公共ANT抽头线位置 ②将每个群时延数据调到波峰或波谷，可调相邻耦合杆直到波形对称，chan/设时延，S11参考线4div chan2设log损耗S21 ③从天线ANT开始排腔4腔，其余从TX或RX排3腔 ④转换log进行最后微调直到所有指标匀合格
16. 频率越高，腔体越矮；频率越低，腔体越高。
17. 频率间隔越近隔离越差，频率间隔越远隔离越高。
调试心得：
1．驻波下不来，将抽头线向上移点，改下后只调抽头附近两腔,还不行将导线加粗。
2． 耦合杆均匀下深损耗小，抑制差，通带宽，下得浅反之。
3．相隔两腔用镀银线代替跨线耦合。
4．每个调协杆均匀进或退可使通带向高或低偏，进则通带向低频偏，退则向高频偏。
5．先存一个通带再接另一端口看交叉点。
6．电感耦合离腔体盖板越近耦合越弱，越远越强。
7． 电容耦合离腔体盖板越近耦合越强，越远越弱。越长也越强！
8． 端口耦合下太深抽头要下降，进太浅则上深！
9．一般RX比TX窗口要大，抽头腔可一样大！
10．频率高腔体矮，低则腔体高！
11．一般正耦合为电容耦合（C耦合）
负耦合为电感耦合（L耦合）
经验
1． 一般圆柱直径与腔体边长之比为1：3.2—3.6之间，因此时QU值最大。损耗低。（缺定住子外经大下用腔体边长乘以0.29）
2． 双工器的窗口规律是输入输出大，中间小。窗口大耦合强，窗口小耦合弱，窗口大小是根据耦合杆进入的深度来判断，太深则耦合弱窗口小，太浅则窗口大耦合太强。
3． 耦合弱时抑制高，插损大，驻波大，时延大，时延大，抽头位置也下
4． 飞杆长耦合强，飞杆短耦合弱（飞杆指交叉耦合）
飞杆盘大耦合强，飞杆盘小耦合弱。
5． ANT抽头离腔体壁越近耦合越强，时延小。RX或TX正好相反
6． 端口耦合进太深抽头要下降，进太浅抽头要上升。
7． 当抑制不够时，高端要电容耦合，低端加电感耦合，对称加装。
交叉耦合安装的三种方式：
①零点对称 ②对低抑制 ③对高抑制
8． 如果带宽太窄可以用多些腔多级交叉耦合，（腔体多可减小带宽）窗口要开小些，腔体大且深插损小。
9． 电容耦合对低抑制，电感耦合对高抑制，频率近用双边抑制。
10． 设计时带宽太宽，腔体个数就少。越窄腔体个数就多。
11． 大功率双工器解决方案：
a. 将调谐杆尽量少入腔内
b. 调谐杆下端成圆柱
c. 谐振杆加粗娈短
d. 腔体加大。
求腔体合路器调试技巧 abc4175@163.com
高端大气上档次
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顶顶！休息哈嘛，清明节
这样的好帖子一定要支持，分享是快乐！奉献是美德，虽然现在这种精神越来越稀少，但我们依旧要坚持
虽然是老调重弹，但还是要支持
很久没看大真正的原创贴了，欢迎大家分享自己的经验哈
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顶顶啊
求腔体合路器调试技巧 abc4175@163.com
顶，，，，，感谢小编！
太给力了
大婶们都好厉害的
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