关于功放中的微带布线的问题?请解答疑惑
有几个问题需要问大家
很多问题也是我想问的,
还是先确认一下 这个是哪里弄来的图。
有些你layout之后就能看出来,有些我也不知道
1.两个拐发,不知道有什么区别,但好像3 的90° 散热好些
2.2是一个器件,应该不是焊盘。
3.应该是5的比较正确些,4生成版图是容易混乱,但好像原理图的方针结果一样
4.7,8处的微带是上面一个下面一个,因为微带自身有宽度的,这个很多功放上匹配上都有,用来匹配,如果换成4,5的肯定匹配结果是有所不同的,毕竟一个电容有50mil的宽度。
5.因为用smith原图左匹配,没有渐近线 所以很少用,但是很多ldmos的datasheet中会看到
6.8这个东西没用过,你百度吧
这个图式我用画图软件拼装的,基本上涉及到了我看书中关心的问题
图1和图3都是连接线,带有拐点!因为微带线中有寄生的电感和电容的存在!所以会在微带线中带有损耗!为了减小这些损耗!可以根据不同的频率所得需要的线宽来调整微带线中所需要拐的角度!图3中的斜面的长度最好是所连接线宽的1.8W!
我的见解!不知道对不对!多多指教!
问题一:两个拐角模型,1为90°直角模型,没有切角,拐角处线宽变大,等效电容较大,会影响信号传输特性,尤其是反射特性会变差,这一点在高频表现较为明显;没看错的话3应该是Msabnd模型,这个模型是切角模型,拐角角度可以设置,切角程度可以通过改变M值来设定,跟这个类似的还有个Msobnd模型,这个模型是90°直角切角模型,有人说这个切角的M值是ADS计算好的最佳M值,所以其参数设置中没这一项,这一点我还没找到答案来验证此说法,但是好像没错。
问题二:模型2在ADS中有两个参数需要设置(没记错的话):W和S,这个模型就是一个间隙,其中S是其间隔长度,举个例子,假设该模型两边是微带线的话,那么在生成layout时,两段微带线是分开的,同时又可以被这个间隙约束在同一条直线上。一般焊盘都是自己添加的。
问题三:我觉得4、5没有本质上的区别,我们在设计电路时,肯定要考虑到实际焊接问题,可以直接将元器件直接焊在微带线上,但是假设你在同一地方要焊三个元件,就不能像原理图中直接一根导线相连了,就要考虑实际焊接实现的问题,这时就可以像5那样加个Mtee;或者假设你有三段不同宽度的微带线需要连接,这时候加个MTEE模型也挺好用的。
问题四:同问题三,我觉得加这么一个模型就是考虑到最后的实际焊接问题了,即使不加这个模型,假设你在同一个地方上下都需要焊电容,那你肯定也得加俩焊盘吧?
问题六(为啥不是五?问lz吧):没见过这模型,应该就是正常的微带线模型之一吧?
由于这里没ADS,不然可以截图说明上述各问题了。
最后,假设lz使用的是ADS的话,提个建议:ADS所有模型都可以查看help文件,里边对模型的各项参数和作用都有描述的。
楼上解释的很全面