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-为什么不能通过增加基片厚度来实现大阻抗微带线

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
       我看好多论文上提到多分支线(3、4)定向耦合器外分支阻抗比较大,工艺难实现,所以要才用这样那样的结构,来使工艺即能实现,阻抗值又不变。当时我就有疑问,为什么不能通过增加基片厚度来实现较大阻抗的微带线呢,只要增加介质厚度,微带线宽度就增加,工艺上就总能实现。
      后来我在HFSS里边仿真试了试,增加基片厚度使最小线宽达到TCC工艺要求(原来2层基片,增加到6层最小线宽满足工艺要求),可是,仿真出来的结果无论怎么优化,怎么调试,都比较差,插损、耦合度、带宽、隔离度远不如2层基片(我是采用DGS结构)的结果。增加到6层以后,我也发现有些不对劲,外分支线1/4波长1.39mm,直通臂和耦合臂线宽1.028mm,是不是两个臂离的太近了?
      总之,我就是不明白,增加基片厚度以后为什么耦合器的性能会变很差。
我论文是这方面的,希望对这方面比较了解的前辈不吝赐教。非常感谢。

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