飞思卡尔在大失配应用中引入业内首款50 V RF LDMOS功率管

飞思卡尔半导体日前推出一款RF LDMOS功率管，工作频率为1.8至600 MHz ，最适于在CO2激光器、等离子体发生器和磁共振成像（MRI）扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶体管，在电压驻波比（VSWR）为65:1的负载中提供 300 W CW的全额定输出功率。
MRFE6VP6300H可用于推拉式或单端配置，并放置在紧凑型NI780-4陶瓷封装中。频率为130兆赫时，该设备生成300W的CW输出功率，增益为25分贝，效率达80%。该MRFE6VP6300H还包含创新的静电放电（ESD）保护技术，这不仅使它成为第三类功率器件，还支持大的栅源电压范围（-6V至+10V），因而在高效模式（如C类）下运行时能提高性能。

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