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LDMOS简单失效检测方法

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

1) 测S-G和D-G极之间的正向电阻,正常为M/kOhm级别;否则低于几kOhm
2) Source-Gate connection is the same as Si PN Junction (+0.7V)
+Lead of MultiMeter connect to Source
- Lead to Gate
Source -Drain connection has about 0.55V barrier;(not sure)
3) 上电顺序,Vds-->Vgs-->RF  (not necessary)

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