关于非接触连接

采用电磁耦合的非物理接触的微带线耦合怎么做到插损小于1dB（15GHz），感觉微带线耦合很难做到这么紧耦合。但国外有资料显示可以做到，就是微带线布在基片的边缘并且终端开路，一个同样微带和基片的距离其0.15mm，在20GHz的时候两者的s21小于1dB?感觉这样不行啊。请问关于微带的强耦合怎么做?

能不能做到还不知道,但是建议小编可以用ADS仿一下,大概10分钟就可以搞定了！如果不知道怎么仿的话,版内回帖告我一声,我来尝试一下！