晶体管封装模型与静态工作点...

RT~
向大家求助！
我将自己的问题简单描述下：用晶体管的design kits和偏置网络已得到想要的静态工作点，但是问题出现了，我用design kits加偏置网络代替晶体管s2p模型的时候（整个电路已有输入输出匹配网络），再进行直流仿真，这时晶体管的静态工作点已发生变化，而且变化不小，对仿真结果产生了影响...
这个问题怎么解决啊?ps:我想输入输出匹配电路已经参加了直流偏置的部分，那么怎样才能得到晶体管想要的静态工作点呢?
谢谢各位先~

那只能通过调试偏置网络和匹配网络，将静态工作点调整到S2P文件的静态点。

后续：
封装模型的静态工作点已经调好，为什么仿真出的S参数以及驻波比等还不正确呢?
急啊~现在原理图还没画完，那边催着要PCB了...
大家帮帮忙哦...

那你只能调整偏执网络了，调到静态点

可能是匹配电路前后没有加高频扼流圈吧！