HFSS中Zo的计算的疑问

按照《微波工程》和TXLINE计算出来的50欧阻抗的带状线，我在HFSS中仿真，怎么计算出来特性阻抗是接近48欧多接近49欧的样子。模型是平面PEC的导体,边界是perfect E，用Driven Terminal ，端口设置为wace port,宽度为5倍导体宽度。计算精度为0.01.。我应该才用那个数据为准呢?是用HFSS仿真出来的，还是用微波工程上拟合方程算出来的呢?两者宽度相差接近0.5mm，我仿的是1G的频率。难道这样0.5mm的误差是可接受的吗?要是特性阻抗有偏差的话，那后面计算不是也要有改动，比如功分器两臂之间的隔离电阻就不是100欧了?
还想问的是，用Driven Terminal计算时，在create report时有Modal Solution Data和Terminal Solution Data之分，所谓Modal Solution Data是用Zpi计算出来的数据吗?Terminal Solution Data是用Zvi计算的?在Driven Modal 下，HFSS只计算Zpi，而在Driven Terminal下，他会计算Zpi和Zvi两种数据?  比如上面的例子，在Modal Solution Data中得到的Port Zo（这个是指特征阻抗吧）和在Terminal Solution Data中得到的Terminal Zo(这个也是指特征阻抗吧）也是有较大的区别的，那我应该取哪种数据呢?是按HFSS online Help介绍的，带状线一般用Zvi计算的比较准确?
有人告诉我，这样1欧的误差在实际制作的过程中是很容易引进的，但我想引进的误差跟这样特性阻抗的差异是有一定的不同的，不知道对不对?
刚毕业出来工作，没有制作经验，又要做一块大板子，材料比较贵，希望错误犯少点。望各位多多指教，谢谢！

感觉49ohm误差不大吧
1/50=2%, 不过通常情况下应该误差更小，我都是50.0几的
可能是你的那个解析公式就不准
[ 本帖最后由 ntzhai 于 2009-2-2 11:25 编辑 ]

要是50.0几就好了。请问你是用什么来估算带状线阻抗的呢?那个解析公式根据微波工程上的介绍精确为1%,而且我还用Agilent的AppCAD计算过了，跟微波工程上介绍的几乎一样，也就是跟仿真出来的有较大差距。

没有错，工具计算都是在外界条件比较好的情况
而实际制作出来的不可能完全一样，仿真毕竟是仿真，我平时仿微带时，用txline计算出来的50欧姆条件下的厚度在实际中却不是实际中最好的值，实际值总在这个厚度的左右范围浮动，仿真毕竟不可能把什么因素都考虑到
我用txline算出的厚度和hfss仿出来最好的厚度有些微差距，而实际制作出来的最好的也和hfss仿出来的也有些微的差距
这是正常的，这也是实际跟理论的差距
所以如果制作的东西要求比较严格，建议仿的时候在原来的要求上再要求高一点，这样实际出来的就能符合条件了

感谢两位。我感觉这个差的比较多。一般你们仿真出来的跟实际的有多大差距呢?0.0几欧吗?我用Ansoft Designer算的跟txline几乎一样，不知道HFSS为啥会有这样大，接近1欧的差距呢?那还问下，我用哪种做为下一步仿真的参考呢，是用HFSS计算出来的14.98还是txline的14.5mm呢?

：9de
我只负责仿真，至于产品用什么尺寸一般都是我们经理说的，呵呵
菜鸟一只，我也不是很清楚