特瑞仕将上市首款不足1mmGPS用小型LNA
时间:10-02
整理:3721RD
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来源: 技术在线 2010/5/12 14:47:56
【提要】特瑞仕半导体宣布,开发出了外形尺寸仅为0.95mm×0.75mm×0.38mm的GPS用低噪声放大器(LNA)IC“XC2401A8167R-G”,将从2010年6月开始量产。
特瑞仕半导体宣布,开发出了外形尺寸仅为0.95mm×0.75mm×0.38mm的GPS用低噪声放大器(LNA)IC“XC2401A8167R-G”,将从2010年6月开始量产。除了采用0.13μm规格的高频模拟用CMOS工艺技术之外,还通过采用该公司自主开发的封装技术实现了小型化。封装采用“USPN-4B02”。“这是业界首款安装面积不足1mm×1mm的产品。安装面积比其他竞争公司产品削减约40%”(该公司营销部部长兼执行工程师前川贵)。主要面向GPS接收模块等。
该公司2009年11月开发出了由两段放大器电路构成的GPS用LNA,开始涉足高频模拟市场。此次开发的IC是该公司推出的第二款型号。该IC是由一段放大器电路构成的GPS用LNA。“目前市售的GPS用芯片组中,有的内置有放大器功能。这些芯片组采用两段式LNA,增益过大。因此我们投产了一段式LNA”(前川)。
支持1.6GHz频带的频率。增益(S21)为标准15dB,噪声指数(NF)为0.69dB。“增益及噪声指数与采用GaAs技术及SiGe技术的产品几乎相当”(前川)。电源电压为+1.14~1.26V。不过,通过使用1个外置电阻,还可支持+1.8V、+2.85V及+3.0V等与GaAs产品及SiGe产品相同的电源电压。因此,可轻松替换GaAs产品及SiGe产品。此外,还有四个必要外置部件。即2个作为输入部滤波器使用的电感器,使电源电压稳定的偏置电容器,输出部使用的切断直流电用电容器。“与其他竞争公司的产品相比,外置部件减少了1~2个”(前川)。
工作温度范围为-40~+85℃。样品价格为200日元。“量产时采用CMOS制造技术,因此将设定与GaAs产品及SiGe产品具有较高竞争力的价格”(前川)。
今后,该公司还打算投产追加开关功能的GPS用LNA,以及用于微波数字电视用单波段调谐器的LNA等。(技术在线)
【提要】特瑞仕半导体宣布,开发出了外形尺寸仅为0.95mm×0.75mm×0.38mm的GPS用低噪声放大器(LNA)IC“XC2401A8167R-G”,将从2010年6月开始量产。
特瑞仕半导体宣布,开发出了外形尺寸仅为0.95mm×0.75mm×0.38mm的GPS用低噪声放大器(LNA)IC“XC2401A8167R-G”,将从2010年6月开始量产。除了采用0.13μm规格的高频模拟用CMOS工艺技术之外,还通过采用该公司自主开发的封装技术实现了小型化。封装采用“USPN-4B02”。“这是业界首款安装面积不足1mm×1mm的产品。安装面积比其他竞争公司产品削减约40%”(该公司营销部部长兼执行工程师前川贵)。主要面向GPS接收模块等。
该公司2009年11月开发出了由两段放大器电路构成的GPS用LNA,开始涉足高频模拟市场。此次开发的IC是该公司推出的第二款型号。该IC是由一段放大器电路构成的GPS用LNA。“目前市售的GPS用芯片组中,有的内置有放大器功能。这些芯片组采用两段式LNA,增益过大。因此我们投产了一段式LNA”(前川)。
支持1.6GHz频带的频率。增益(S21)为标准15dB,噪声指数(NF)为0.69dB。“增益及噪声指数与采用GaAs技术及SiGe技术的产品几乎相当”(前川)。电源电压为+1.14~1.26V。不过,通过使用1个外置电阻,还可支持+1.8V、+2.85V及+3.0V等与GaAs产品及SiGe产品相同的电源电压。因此,可轻松替换GaAs产品及SiGe产品。此外,还有四个必要外置部件。即2个作为输入部滤波器使用的电感器,使电源电压稳定的偏置电容器,输出部使用的切断直流电用电容器。“与其他竞争公司的产品相比,外置部件减少了1~2个”(前川)。
工作温度范围为-40~+85℃。样品价格为200日元。“量产时采用CMOS制造技术,因此将设定与GaAs产品及SiGe产品具有较高竞争力的价格”(前川)。
今后,该公司还打算投产追加开关功能的GPS用LNA,以及用于微波数字电视用单波段调谐器的LNA等。(技术在线)
XC2401A8167R-G.pdf
XC2404A816UR-G.pdf
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