ADS仿真，设计AtF54143的偏置的时候总是出错，求指导~
时间：10-02
整理：3721RD
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下面这个仿真是按照ADS2008射频电路设计与仿真实例 一书中做的，设计过程总是出错，具体情况见下图：
那是因为ATF54143是enhanced mode P-HEMT, 而Bias utility是使用N(P) type FET公式计算偏压电路, 所以会算错。
好厉害啊，感谢，那要设计HEMT的偏置，应该用什么呢?
你还是可以用Bias utility来帮你算, 先按Bias point selection, ADS会生成一个DC I-V curve 电路, 然后根据
datasheet调整VGS, VDS扫描范围, 然后跑DC模拟后就会有I-V curve, 找到你要的VGS, 回到Bias utility关掉automatic Extract Device Parameter, 勾选Device bias point, 填入VGS值再讓让它跑就行了
或者更快一点, 直接看datasheet, 找到你要的VGS, 填入后直接执行就好了
感谢，很厉害~