晶体管偏置随输入功率变化 求解释！
时间：10-02
整理：3721RD
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在文献中看到这么一张图 说图中的那种偏置形式 HBT晶体管Vbe会随加入的功率上升而下降 偏执点发生漂移 这怎么解释啊? 求大神！
不知道是不是因为管子中的哪个寄生电阻分压导致的 自己想不通
Ic,Ib随功率增大，R1压降变大。
我觉得原因是BJT的rin 会随着输入功率增加而迅速减小（在peak的时候rin最小），Vbe自然就下来了。这个非线性的输入阻抗很不好处理，BJT的bias是比较复杂的current mirror
回复第 3 楼 于2013-12-11 23:28:26发表:
Ic,Ib随功率增大，R1压降变大。
我用ADS仿真了下 几乎没什么变化 ADS软件仿真时考虑这些问题么?
回复第 4 楼 于2013-12-12 06:27:07发表:
我觉得原因是BJT的rin 会随着输入功率增加而迅速减小（在peak的时候rin最小），Vbe自然就下来了。这个非线性的输入阻抗很不好处理，BJT的bias是比较复杂的current mirroR
为什么Rin会随着输入功率变化啊 Rin不是频率的函数嘛?！。
回复第 3 楼 于2013-12-11 23:28:26发表:
Ic,Ib随功率增大，R1压降变大。
我用ADS仿真了下 几乎没什么变化 ADS软件仿真时考虑这些问题么?