新人报到,请教下<ADS2008射频电路设计与仿真实例>中遇到的一些问题

第7章:混频器仿真(书中P261,图7-48),我按照书中的仿真步骤进行仿真,发现仿真结果在m1点(250MHz)处信号电平仅为-80dBm,而非图7-48显示的-19dBm;最开始怀疑NMOS管参数设置有问题,重新查对了图7-17(P248),完全一样;再查对P254电流偏置图7-27,也一样
仿真提示,3个警告,其中有一个是MOSFET6 PD=0小于W什么的?
更改RFpwr信号强度,由书中的-30变成0dBm,m1点电平线性增加为-50dBm左右
请问下徐工或其他ADS高手,我到底应debug哪部分参数才能得到想要的正确结果?非常感谢,急盼回复