APC如何控制PA的输出功率
其实工作在饱和区的PA才容易调增益，反而线性区的PA没那么容易调。说的简单点，PA的增益是指输出功率和输入功率只差，可是是正值也可以是负值，你记得在饱和区或是深度饱和区的放大器有个导通角的概念吗，如果导通角接近于0度，那么PA的增益是负无穷大dB，如果导通角是180度，其增益会升至线性区的gain，一般的PA在正20到30dB左右，所以只需要改变导通角就可以得到很大范围的增益控制，这就是为么在PA input power不变的情况下，GSM PA的最低PCL功率小于PA input，而最高的PCL功率又远大于PA input。
如果要问如何改变导通角，翻翻书就知道了导通角和集电极偏压的关系。而集电极偏压和Vramp的关系就如同3楼所说，采用比较器或是运算放大器把Vramp和Vbias合成为一个电压偏置到集电极上即可，这样以来，Vbias（通常是由Vbat转化而来）不变，Vramp变，那么运放出来的集电极偏压就会改变，从而导通角也会改变。
导通角和Vramp的关系是通过校准Tx sweep中有扫Vapc和Tx power的关系得出。（高通平台是PDM和Tx power的关系）
先写到这里吧，希望能对小编有所帮助。
不错，学习了
GSM PA: Tx power changes with ramp voltage.
GSMPA工作在饱和状态，可能有人会有疑问，为什么还能调整功率级?其实在MOS管之前，还有一个放大器作为比较器还是用，一个输入的是Vramp一个输入的是从MOS管最末级反馈的电压信号，这样来调整功率，不管压控，流控，还是直接功率检测，都要转换成跟Vramp比较的电压，gook2009真好学啊，呵呵
2楼和3楼回答都是对的。
赞同，gook2009确实非常细致好学。
顶一下........
论坛里终于有牛人出来回答问题了，顶一下吧，以后多多问问题
我想说的是如何实现的不同功率等级功率的输出? 从TC进入PA的功率在不同功率时应该是差不多的，那如何控制PA对输入信号进行放大实现和个功率等级功率的输出?
还有如何实现DCS十五功率等级时功率的缩小 ?
强人，呵呵。好久没看书了，不过你一说还有点印象，我先找下相关的资料看下，不理解了再请教。
同问gook2009是什么?
我想说的是如何实现的不同功率等级功率的输出? 从TC进入PA的功率在不同功率时应该是差不多的，那如何控制PA对输入信号进行放大实现和个功率等级功率的输出?
我只想说好好去看看模电中的放大电路个概念吧。
gook 2009是小编的ID 无语
相当的无语
受教了，向高手学习
GSM的PA，功率控制DCS分16级别，通过控制VRAMP的电压实现不同功率级别的功率控制，VRAMP电压，工厂在校准的时候会矫正。
各位牛人，你们说的是不是太深奥了。
不错，学习了
顶一下这个回复。
很好学的MM。
额是GG，求萌妹纸一枚。。
一直没有找到导通角和集电极偏置电压的关系。
只知道导通角和基机偏置电压的关系。
哪为大牛解释一下?
学习一下
有谁有PA内部构造图和内部原理吗，是PA自生内部的哦
1.导通角只和基极偏置电压相关；
2.PA的最大输出功率与基极偏置无关，只和集电极偏置电压相关；
2.为什么要调整集电极电压。因为要保持PA无论在各档功率下都是饱和状态。如何实现饱和与高效率装态，就是要保持各功率档PA都有最佳负载。如何有最佳负载，根据基本的steve crrip理论，Ropt=（V-Vsat）^2/2Po可知，保证（V-Vsat）和Po的一致性可以使PA的最佳负载阻抗近似不变。
学习了！
学习了！
看的帖子越多，发现自己的差距越大呀，得好好学习了~~~
学习了！
好奥学习 呀
受教了，谢谢
好帖子啊，呵呵，受教了
mark一下
学习学习了
mark 6#受教了
mark.......
mark......
dsaf etr wtg wr tr
有PA内部构造图和内部原理吗,那位大牛给一份
导通角只和基极偏置电压有关，那么PA是通过什么来改变不同功率等级下的输出功率呢?还是没太明白。
不错，学习了
不错，学习了
fdgh fmjjhd vxhd sax
学习了
up！up！up！
GSM由于采用发射机动态功率控制机制，手机在通话过程中其发射功率随着其离基站远近而自动由基站调整，GSM900手机的发射功率有5~19一共15级,功率电平控制分别对应于33~5dBm。DCS1800手机发射功率有0~15一共16级,功率电平控制分别对应于30~0dBm,每增加一级电平，手机发射功率下降2dB。功率级别由基站控制完成。
一直都想知道，今天终于弄明白了，谢谢你的讲解。
都是大神啊
害我还去百度gook2009
路过看看，学习了
其实工作在饱和区的PA才容易调增益，反而线性区的PA没那么容易调。说的简单点，PA的增益是指输出功率和输入功率只差，可是是正值也可以是负值，你记得在饱和区或是深度饱和区的放大器有个导通角的概念吗，如果导通角接近于0度，那么PA的增益是负无穷大dB，如果导通角是180度，其增益会升至线性区的gain，一般的PA在正20到30dB左右，所以只需要改变导通角就可以得到很大范围的增益控制，这就是为么在PA input power不变的情况下，GSM PA的最低PCL功率小于PA input，而最高的PCL功率又远大于PA input。
如果要问如何改变导通角，翻翻书就知道了导通角和集电极偏压的关系。而集电极偏压和Vramp的关系就如同3楼所说，采用比较器或是运算放大器把Vramp和Vbias合成为一个电压偏置到集电极上即可，这样以来，Vbias（通常是由Vbat转化而来）不变，Vramp变，那么运放出来的集电极偏压就会改变，从而导通角也会改变。
导通角和Vramp的关系是通过校准Tx sweep中有扫Vapc和Tx power的关系得出。（高通平台是PDM和Tx power的关系）
先写到这里吧，希望能对小编有所帮