为什么PA的VBAT要大于VCC
这个不是VCC那个供电流更大么，VCC是主供电啊
VCC是给PA的集电极供电，Vbat给PA的偏置供电。
VCC是内部偏置
坐等大神来回答
因该是mos管子吧，看看什么是耗尽型，什么是增强型mos，知道这个了你就知道为啥是这个现象
耗尽型mos管在栅极没有加点时沟道已经全部打开，也就是说此时的mos管是处于完全导通状态，你可以认为此时的漏极是短路的，那么在栅极没有提供电压时，漏极电压打开相当于接地，所以会有很大的电流，会烧毁管子。
如图，VBAT给控制模块供电，假如控制模块没工作的话，管子的初始状态是未知的或者说不是期望的状态，管子的工作状态是不可控的。
PA
貌似 有如下关系。
formula
感谢，但是为什么VBAT要大于VCC?
在栅极不加电的情况下，此时的漏极对源极是直通的对吧?那为什么栅极电压一定要大于等于漏极电压呢?
PA模拟模块放大的话同样的功率，电压越低越好啦。
不是省电与否的问题，可能理解有误差。而是，VBAT要大于等于VCC，这样才能保证不漏电。
bajie123兄弟分析的有点对路，但还是不是完全回答我的问题。
我也是醉了，手机系统用电池供电，难道不成你还要VCC大于VBAT，多加个boost电路?一般的设计省事点的直接VCC接VBAT，好点的接PMIC或者DCDC。
有的PA，因为设计问题，导致必须在VBAT端加LDO，这会导致Vbat<Vcc的情况发生。
再来补充下问题，有关PA的应用里，会有这一条，那就是Vbat要大于等于Vcc，否则有漏电和烧芯片的风险，实际测试中也会发现，如果没有加Vbat，单加VCC，漏电流会大很多。
请教下什么设计问题?能看下案列吗?能否确定模块中那个电源对应于那个模块?
nafenzouren
学习啦
新人一枚，很想弄清楚PA的问题。小编有关于PA详细的资料没
买本射频微电子的书看看吧，别无他法。
回答的很好
PA的VBAT不一定需要大于VCC的，大部分都是共用的。
谢谢！
学习！
50 RD币还没发出去，看来小编没完全想明白。
也要学习一下模电了
耗尽型mos管在栅极没有加点时沟道已经全部打开，也就是说此时的mos管是处于完全导通状态，你可以认为此时的漏极是短路的，那么在栅极没有提供电压时，漏极电压打开相当于接地，所以会有很大的电流，会烧毁管子。