GSM900相位误差偏大

先把屏蔽盖拔掉   看问题是否还存在?

如果还存在
一段一段看

看问题出在哪个Block
ASM ?  PA ?  WTR ?
先把范围缩小

找到问题所在的Block后
断开电源   额外给电   以判断是否为电源问题
若不是   就微调阻抗试试

如果凶手跟TX路径的Block无关
那就是XO外灌试试   例如若高通平台   就外灌19.2 MHz的Sin wave

校准没?

挂的不是频率误差吗?

额，，看看，，关注学习中，，，

没校准，或者晶体物料不满足要求

逐段分析法比较实用，如果是WTR出来就这样，提供两个解决思路：
1.如果和PLL 相关VDD 的外供后有改善，分析是否电源上是否串扰，可以用频谱仪看下电源上的频谱分量。串扰采用逐段外供，看是否是哪段走线引入。如果PLL外供电由于走线过细，阻抗大，压降比较明显，会导致GSM 瞬间电流大时，供压不足引起PLL 锁死，导致频差失败。
2.IQ 是否受到干扰，尝试调试Tx IQ RC 匹配电路，做低通滤波器试试。
小编解决问题后，和大家分享一下经验，谢谢了。

   前几个 BITS 的 Phase Error 超标或者偏大，而后面部分的 phase error 正常，如下图所示

   前几个 BITS 的 Phase Error 超标或者偏大，而后面部分的 phase error 正常，如下图所示




假设一：PA端直接以辐射方式干扰
假设二：由于PA隔离度的不足为谐波信号提供了反射回Transceiver的路径，从而干扰到VCO。




PA 在大功率的情况下将产生比较大的谐波成分（可以解释为何相位误差在大功率等级时更差）。
PA发射出来的谐波成分沿上图蓝色线的传导路径返回到Transceiver，或者由于PA隔离度和功率泄露的问题沿红色线由RX返回到transceiver（之后有验证）而Transceiver中的 VCO 电路比较容易受到 PA反射回来的谐波的干扰，产生 VCO PULLING 现象，
导致了调制特性变差。
对于 GSM900 频段，对调制特性影响比较大的是反射回来的四次谐波；对于 DCS 频段，对调制特性影响比较大的是反射回来的二次谐波。

VCO 的频率范围分别如下：
对于 低频：Fvco=4*fch
对于 高频：Fvco=2*fch
频率范围分别如下：
GSM850：3296MHz-3396MHz
GSM900：3520MHz-3660MHz
DCS1800：3420MHz-3570MHz
PCS1900：3700MHz-3820MHz






所以，分别断开高频TX输入、低频TX输入、高频RX输出、低频RX输出看看是哪一路引入了反射干扰，然后在哪一路加低通，看你给的图片是不是用的VANCHIP还是汉天下的PA?如果是，在低频TX输入串8.7NH并两个2.7PF，在高频TX输入串8.7NH。

注意：传导相位误差OK不代表耦合测试也OK.所以一定要仔细验证。

检查PA，layout布线，晶体，校准参数，周围匹配