赐教：射频有屏蔽罩的传导杂散比无屏蔽罩的要差5-6dB，为何？
可能原因三个 :
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了
如下图 :
若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大
尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了
2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
一部分流到GND 一部分会再反射
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化
3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
验证方式 :
第一种现在很少见了 所以就不提
第二种的话 可以这样验证 如下图: 
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
那凶手就可能是来自这原因
值得注意的是 那个DC Block要加
避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
第三种的话 在没加屏蔽罩状况下
在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
那凶手就可能是来自这原因
解决方案:
第一种现在很少见了 所以就不提
第二种的话 
因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF
第三种只能改机构
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大
不然就是PA上方直接开天窗
原理很简单，通常的BPF为介质滤波器，设计上可分为半开放场结构和封闭场结构的。当BPF采用半开放场结构时，要求顶部介质外为开放空间（设计上默认为填充空气介质），距离较近的金属会改变场结构而严重影响滤波特性，封闭场结构的BPF则不受影响。
其实很多射频问题用电磁场理论比较好解释。
小编说的是二三次谐波，那可能有两种原因：
1. 屏蔽罩影响了PA输出匹配（原因是改变等效介电常数），导致PA非线性增强，这种情况同时会有其他非线性指标恶化。
2. 若前端BPF是半开放场结构，屏蔽罩会使BPF失谐降低性能，导致带外抑制度下降。
这论坛真怪，回贴没奖励，一堆人黑了心卖资料，以后要少来。
怀疑你的屏蔽罩的接地和PA输入或输出的走线离得过近,或它们的过孔.另外,有些平台要求屏蔽罩的地和射频的地在第一层是不能连在一起的.最好到主地再连在一起.
楼上的解释有创意
个人觉得，是否屏蔽罩形成腔体，同时导致了BPF谐振点改变，影响了BPF性能。另外可能导致PA轻微自激。
顺便说一句3楼的兄弟好帅！
各位，屏蔽罩目前的孔径是1.5，能否通过修改屏蔽罩来修改！改匹配电路能否可行?
小编所说的将PA+FEM屏蔽框加上，是不是没有将PA与FEM、Tranceiver分开处理，个人认为不应该将PA和FEM地连在一起，起码要有地隔离，这样很容易产生寄生耦合，也会使BPF滤波衰减谐波能力变差。
有可能是屏蔽盖接地不好，使得谐波通过屏蔽盖的反射绕过FEM
可在BPF对应部位开口，开口大小略大于BPF平面尺寸即可解决半开放场BPF问题。当然，能把BPF移出屏蔽罩更好。PA本身的失配则可通过调整输出匹配解决。不过前一种可能性较大。
原来回贴还是有奖的，错怪小编了。
我在FEM后端(到RF CON)加了一个带阻滤波器,有很大改善,此滤波网络也在屏蔽盖内！给位老大说的屏蔽罩开口也很有效果,谢谢！
哪位高手能够出来解释一下到底是什么原因?
屏蔽罩离PA和FEM的高度是否足够?
个人感觉应该是屏蔽盖和下面的元件还有主板的地形成的寄生电容造成的。
EMI的不好，主要是由于信号不能走回路，看看把shieding下多打地孔是不是有效。
这样可以形成低电感高电容。
我原来做基站就遇到了这样的问题。
如有不对，欢迎拍砖
目前屏蔽罩是直接贴在主板上的,高度1.7,是有点矮！
杂散分为：传导杂散和辐射杂散两种。
屏蔽罩的功能是屏蔽射频电路外部的干扰，但是如果屏蔽罩内部的辐射杂散太大，在加盖了屏蔽盖之后，辐射杂散无法往外辐射，会耦合到传导杂散里面。所以在射频电路本身没有做好的情况下，无屏蔽盖的传导杂散反而比有屏蔽盖好。
射频电路有没有做好就是看：1。Vcc落地电容是否合适，是否将杂波滤掉了。
2。PA to switch 的匹配是否做到位。Switch to antenna的匹配是否做到位。
关键是匹配。
就是这个原因，设计的时候要考虑到
2楼的解释很有道理,我遇到过.
huangyw
怀疑你的屏蔽罩的接地和PA输入或输出的走线离得过近,或它们的过孔.另外,有些平台要求屏蔽罩的地和射频的地在第一层是不能连在一起的.最好到主地再连在一起.
16楼兄弟的讲法比较合理！
这位大哥，这里你说的BPF是什么东东?是带通滤波器吗?
我怎么在做的平台上，射频部分没有这块东西啊?
请赐教！谢谢
根据你描述的现象就是有屏蔽盖和没有的区别,可以肯定就是屏蔽盖的地和IC的地没有很好的分割,信号又通过地耦合到了IC输入端.把地分割开,到主地汇合！
有的平台都集成在一起了
请问什么叫半开放场结构?
还有一种情况就是厂家的电池性能太差也会影响到辐射杂散·
屏蔽如本身的电导特性差，再加上高度本来就不够（手机），这样如不能很好的吸引杂散信号，它就会利用屏蔽材料为平面作反射。从而影响器件及线路，所以不装屏蔽罩反而会好。
（材料、高度、接地良好是决定屏蔽效果的主要因素）
yuangtmp,20、23楼等着你来解决呢，我也正想问这两个问题，如有看到，还劳烦解惑，不胜感激
有的平台都集成在一起了
请问什么叫半开放场结构?
还有一种情况就是厂家的电池性能太差也会影响到辐射杂散·
屏蔽如本身的电导特性差，再加上高度本来就不够（手机），这样如不能很好的吸引杂散信号，它就会利用屏蔽材料为平面作反射。从而影响器件及线路，所以不装屏蔽罩反而会好。
（材料、高度、接地良好是决定屏蔽效果的主要因素）
yuangtmp,20、23楼等着你来解决呢，我也正想问这两个问题，如有看到，还劳烦解惑，不胜感激
直接把屏蔽盖剪掉，看看有没有好处，现在射频干扰都靠试，那些理论的东西比较深奥，我的理解是拆板子，直到光板为止，再不行，调匹配，调电源
半开放场结构， 应该是指不带金属顶盖封装的RF器件、模组（例如PA、 FEM）等。 下面的基板形成参考地，如果采用金属顶盖外壳封装（类似如加了屏蔽罩），就形成封闭式场结构，不易受外界环境影响。
而半开放场结构，由于缺少自带的金属屏蔽盖，就容易受到周围器件、其他信号和外加屏蔽罩高度的影响。
可能原因三个 :
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了
如下图 :
若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大
尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了
2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
一部分流到GND 一部分会再反射
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化
3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
验证方式 :
第一种现在很少见了 所以就不提
第二种的话 可以这样验证 如下图:
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
那凶手就可能是来自这原因
值得注意的是 那个DC Block要加
避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
第三种的话 在没加屏蔽罩状况下
在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
那凶手就可能是来自这原因
解决方案:
第一种现在很少见了 所以就不提
第二种的话
因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF
第三种只能改机构
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大
不然就是PA上方直接开天窗
一般情况下，有无屏蔽盖对传到杂散没影响是吗?