微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 手机设计讨论 > 手机射频设计讨论 > 如何走线能够提升频率误差

如何走线能够提升频率误差

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
最近我们做模块发现面积越小,在高温下频率误差就越容易超标,但是产品定义模块的大小已经定死了,所以想请教下各路大神如何在走线方面注意,从而提升频率误差呢?

小编是龙尚的吧,高温差的话,看一下XO GND的下地位置吧,而且除了下面净空,其它所有层能打孔就打孔到主地提升散热性能

我想问下常温下频率误差是多少,你使用的晶体/晶振带温补吗?
一般这种与温度相关的问题,首先要确认你的晶体/晶振离热源(PA,CPU等)的距离,晶体/晶振净空区GND掏了几层?如果离热源近,尽可能的多掏几层地。另外:如果频率误差向一个方向偏,可是尝试调试负载电容,使之往反的方向偏。

常温下频率误差只有5kHz,我们用的是宽温晶体。
因为模块面积小的原因,所以晶体靠近CPU会偏近一些。
净空的GND 掏空了一层,多掏几层不会有什么其他影响么?

自己顶

自己再顶

走线上,注意保护xo时钟走线,PLL供电电源线,这俩个对频率误差影响较大,
布局上,晶振位置尽量远离其他发热芯片,xo出来的线可以的话尽量细点,减少热传递。
结构上,多增加散热处理吧。

确实说得对,这样估计是可以解决

谢谢!

多谢!

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top