PA中间的大GND pad点焊接不良造成的影响

如题，小弟在一个生产制造商工作，遇到一些在校准时出现fail的情况，有时候加热一下会好，做CT发现PA或者ASM之类的芯片中间公共GND焊接不饱满，想问问大神们，GND接地不良对PA的影响有多大，有没有文献资料，小弟在此谢过~

我这方面没经验，只是觉得是不是焊盘寄生电容的影响?频率多少啊

有可能有影响。这方面的文献估计没有。

等待大神~

PA肚子中间那块地主要是用来散热的，PA的die一般就在其正上方。如果焊接不良会导致上方PA die的结温快速上升，而结温增高又会带来饱和功率下降、噪声增大、记忆效应增加等问题。

这问题可以这样问
如果PA的中间那个GND Pad  接地不良会怎样?
可参照这个帖子
http://bbs.52rd.com/forum.php?mo ... p;extra=&page=4

感谢大神指导~非常感谢

学习了

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学习啦