微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 手机设计讨论 > 手机射频设计讨论 > SAW filter的差分阻抗如何测

SAW filter的差分阻抗如何测

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
我们都是根据datasheet标注的输出差分阻抗进行电路匹配或者参考电路设计,有没有人知道的,请讲一下如何测量saw filter的输出差分阻抗?
一般输入单端50 Ohm,输出为差分阻抗。这个差分阻抗怎么测啊?spec中大多用电阻与电容(或电感)并联的形式来表示,这是为何?尽管可以转换成串联阻抗,到地为什么喜欢用并联阻抗的形式呢?

谢谢!

这个问题懂的人不多,真正懂的人也不太愿意说
微波理论很高深,你应该去微波那个板块问问,搞手机射频的90%接触不到高深的理论

免费威武!

网分,有四个口的,看help。两个口的,你就看其中一个做近似,另外一个加上50ohm电阻。

本身这个问题就有问题,测SAW的差分阻抗有啥意义?
你就根据transceiver的LNA input 阻抗选择合适的SAW就好,差分阻抗100ohm,150ohm,200ohm没有本质区别,选择合适的值可以减小matching loss而已。
SPEC 中一般会标示类似 SE 50ohm BAL150ohm//18nH, 这个无非就是告诉你
SAW厂商关键的指标的测试条件, 你需要在差分阻抗设置成150ohm而已。 关键指标,无非就是插损,通带VSWR,Ripple以及各个阻带频率上的衰减。
为啥要在外面并联18nH,原因很简单,做不进去啊,当然现在有些技术可以再基板上做个铜层然后绕出个电感来,但是感值和Q值都受限,所以最简单的方法还是外面并联一个。
所以,测SAW,是为了测它的关键指标,差分阻抗只是网分的设置条件而已。而且作为手机厂商,搞个3、4端口网分验证SAW 评估板有啥意义,证明datasheet没有蒙人?相信大的厂商提供的EVB测试结果是信的过的。2端口网分,直接从50ohm端测S11完全能满足saw filter matching调试需要。

楼上大大分享下 Agilent E5071C Help
找了好久没有找到啊  最好是中文版的  要RF币也可以

差分对SAW测试基本步骤如下:
一、仪器设备准备工作:
1. EVB Demo board (可以向原厂所要)
2. 网分 Agilent (要四端口的,比如E5071C)
3. RF Cable线 三根
4. 测试单体若干
5. 热风枪
6. 容感器件若干
二、E5071C 仪器校准
1. 三端口校准(open/short/load)
   a, Select calibration "on"
   b, Select calibration/ 3-Ports/1、2、3
   c, "reflection"/ open/short/load
   d, "through"连通12/13/23,and then "done"
   e, 各端口上连接好cable 线,并连接到Demo board上面;then Select "calibration" /"Port extention"/"auto extension"/"select port "/"Open extention"
    f, "save/recall" 保存校准结果
三、测试单体
   1. 焊接单体到Demo board 上面
   2. 电感焊接(根据规格书焊接合适的电感);如果没有焊接空位,需要使用networe analyzer的仿真功能;"annlyze"/"fixture on"/"Port matcht"/"select circuit"
   3. 将焊接好的板子连接到仪器;
   4,在现在网分上选择测试模型;"annlyze"/"fixture on"/"SEl-bal"/选择端口(1-Single; 2\3为Balance)/“BaL on”
   5. 端口转换(Port conversion);例如:输入50欧,输出75欧(如果datasheet 输出为150欧,那么在此选择2、3端口为75欧)
   6. 选择测试项目;比如Sss11,Sds21,Scs21 and so on.
   7. 保存图片;
   
基本就是这些步骤,请查考;Agilent E5071C Help有更详尽的说明。

hehe,并联电感是因为saw本身为RC形式的滤波,所以有感性器件来进行matching拉伸到lna的端口。

这里是并联,如果真要计算的话要用导纳 Y=a+bj
a= 1/R= 1/150 S
b= 1/(-2πf*L) 这里带入18nH

不过前面我说的18nH做不进去的概念有点问题,其实SAW不太care差分阻抗的位置的,反正需要matching到LNA端,并联电感主要为测试用。
当时想成了duplexer的那个电感了,因为现在有的方案可以把那个电感做到DUP里面去了。

有个问题,“BAL150ohm//18nH”不是表示查分阻抗实部为R=150Ω,虚部X=(2πf*18nH)ohm么?

实际的电路很难计算,也不需要测试!慢慢摸索久可以掌握规律了!

(1)先测混和模S参数;
(2)计算差模S参数Sdd;
(3)计算差模输入阻抗:Zind=2Z0*(1+Sdd)/(1-Sdd),Z0为单端阻抗

我有Agilent E5071C帮助

两端口VNA测量结果+ADS能搞定!

什么情况啊,两端口的网分怎么测差分啊

good......................

什么情况啊,两端口的网分怎么测差分啊
同问.

yyyyyyyyyyyyyyyyyyyyyyyyyy

不错

我要赚钱,银子

“有个问题,“BAL150ohm//18nH”不是表示查分阻抗实部为R=150Ω,虚部X=(2πf*18nH)ohm么?”
不是。需要这只是代表 150ohm 并联一个18nh. 需要用阻抗的并联公式转化成实部虚部的形式

差分的话我觉得相位差更重要吧,阻抗只能用矢网测试。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top