请教：UMTS系统中双工器隔离度指标要求如何计算？

LS讨论的是双工器的隔离度的问题。
我想顺便问一下。在lay板的时候。TX通路跟RX通路之间隔离应该多少合适。怎么样的出来?
我有个项目收发隔离度不好，后面测试了一下，发现两个之间的隔离度是-50db。

接收机带内的低噪是多少?
还有，接收机的灵敏度估算公式是如何得来的?

它耦合到RX通路的值至少要低于-174dBm/Hz，甚至要低于-177dBm/Hz才算比较安全。[/COLOR]
为什么不是小于接收机带内的底噪呢?

对这个公式还是不理解，大概推了下，感觉不对，MiracleJ有计算过没?

顶，木太看明白

这个PA的SPEC应该有讲，在最大发射功率时不同频段的杂散是多少。

对这个B不太理解。

这个问题要综合得看。
在UMTS系统中，我们主要考虑的是TX是否会对RX的灵敏度指标造成影响，所以在双工器这边，我们往往比较关注TX TO RX isolatio in RX band，为了方便计算，我们设这个值为X。
在通信过程中，对于RX噪底抬高的贡献主要是有两个方面，一个是PA本身产生的RX band附近的噪声，一个是由Tranceiver的TX输出产生的RX band的噪声，后者还会经过PA的放大，所以往往后者的影响会占主要方面。这就是为什么往往我们会在TC和PA之间加一个TX SAW，它的主要作用之一就是抑制TC产生的TX noise in RX band，这里我们假设这个抑制为Y（这个可以在SAW的SPEC里查到）。
再设在手机最大输出功率时，TC输出的TX noise in RX band值为A；
设PA在高增益时，PA本身产生的TX noise in RX band值为B，高增益为G。
那么为保证这些NOISE不影响灵敏度，它耦合到RX通路的值至少要低于-174dBm/Hz，甚至要低于-177dBm/Hz才算比较安全。
那么我们可以导出公式：
(AG/Y+B)X<-174dBm/Hz
根据SPEC代入AGYB的值，可以求出X的最小要求。

怎么没人回复啊?自己顶

小编似乎没有搞清楚底噪和干扰的概念。
底噪是接收机本身的特性，跟灵敏度直接相关；
而干扰是外加的东西，像我们一直在讨论的TX RX之间的隔离就是说RX对TX的干扰抑制度，当然这种抑制度越大越好，当外界干扰为0的时候，你测得的灵敏度才是真正的与接收通路的底噪相关，举例说接收机的底噪是-174dBm/Hz，干扰也等于-174dBm/Hz，那么-174dBm/Hz+（-174dBm/Hz）=-171dBm/Hz，你的灵敏度就会差3dB，明白了吧。
还有，建议你搞清楚那两个公式，那个对你对射频的理解很重要。
还有，要搞清楚功率和功率谱密度的区别，dBm不等于dBm/Hz。

造成收发隔离不良的原因有多种，需要通过实验逐个排除，例如原因可能有：
1. 双工器处TX RX隔离不够；
2. 进双工器前TX RX走线之间的隔离不够；
3. TX链路中含有RX BAND能量过高，造成这种原因有可能是PA线性度过差，或TC的TX输出中含有RX BAND能量过大，TX SAW的作用就是优化后者，现在的设计往往会把这颗TX SAW省掉，出现这种情况可通过TC输出调节匹配优化。

接收机底噪 PN
PN = 10lg(KTW) ＋ NF
灵敏度公式
Sin(dBm)=KTB(dBm)+NF(dB)+Eb/No(dB)-PG（dB）
至于怎么来的，不太清楚

膜拜 miracleJ

学习下

跪求Miraclej联系方式

满足两方面的要求：
（1）Tx泄露对Rx的阻赛：影响Rx灵敏度：
（2）Duplexer 镜频和1/2 Duplexer频率的杂散：外界干扰2fTx-fRx或1/2*(fTx+fRx)经Tx filter先进入PA，然后和fTx产生IMD3，最后泄露进入Rx从而进入中频.
一般情况下，如果满足（1）,（2）就能自动满足。（1）可以根据Miracle的方法计算，即
( Noise_TX@RxBand - Att_SAW ) * G_PA + Noise_PA@RxBand - Iso_Tx@Rxband < NoiseFloor_Rx

膜拜下专家
最近在看duplexer isolation的东西 具体上面谈的都是Rx频带内Duplexer的隔离度
那么在零中频系统里，Tx频带内隔离度会对sensitivity有多大影响呢?
请教