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高通平台 校准后信令模式下MAX POWER一直在变大,请指教!

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
高通QSC1110平台 校准后在信令模式下测试MAX POWER ,发现校准不到想要的24dbm,一般都校准到22dbm左右,有大概3db的跳动;然后就随着时间一直在变大,甚至都能达到27-28dbm,功率跳变的很奇怪,请各位大虾指教下什么地方出了问题,我仔细检查了下NV项及校准文件的设置,没有发现问题,请问各位有碰到该问题的吗?如何解决!
   还有ACPR也在时不时的出现大的跳变,可能就是因为功率在跳变造成的吧?

Hdet阻抗失陪,或者衰减网络不匹配都有可能

第一你要确认这些fail项的具体实施环境,不能上来就简单的判断为NV或者温补这一块出的问题
第二才是检查温补以及环境温度的干扰
个人愚见

大侠 如果HDET出现问题,那是由于什么引起的?
我们公司有一些主板HDET不良,不知道怎么回事。

把校准log发上来,推测应该是功率检测问题。失配或者衰减网络过大或者过小。

小编应该是打成ALL UP BIT去测MAX POWER的,否则闭环怎么会不起作用?

哦。 是有闭环功率检测的 没做过高通,可惜。

先把体检报告发上来吧(校准LOG)
你用QRCT手动发一个24dBm的PDM值,看看发出的功率是否稳定,是否还会飘,
如果不飘,将HDET OFFSET设成255,SPAN设成0,在ACTIVE下看,是否会飘,
如果不飘,应该是HDET的问题。

是不是对于温度检测造成的误判,最终的输出功率是校准的值和补偿值叠加的结果,但是一般是高温补偿不准导致手机工作时温度升高功率变化偏大,但是你这个现象比较奇怪,比如高温没作补偿,那么温度升高时功率会下降,但是你这个是上升,还是几个DB。可以在NV里把参数清空,或者读出手机温度来逐步排查。

设计有问题,和校准无关

你OUT了,这个不懂,呀

问题出在HDET电路上,器件耦合功率过低导致,该贴结单!

不错不错,学习了,谢谢小编分享

學習學習

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